MOS的物理机制重点.doc

MOS的表面能带弯曲 说明: qψS 表面势能 半导体内的Ei – 表面处的Ei ; VGS 可使表面势ψs 变化 基本是线性变化关系 ; Qn y 是沟道中的少数载流子面电荷密度. 半导体的Fermi势ψB 和 表面状态: 在半导体表面处的载流子浓度决定于表面能带的弯曲程度: nP0 ni exp[ EF-Ei /kT] ni ; pP0 ni exp[ Ei-EF /kT] ni . 在半导体内的Fermi势能 qψB Ei-EF 可用半导体内的参量来表示: ∵半导体内的平衡多子浓度pP0 ni exp[ Ei-EF /kT] ni exp qψB /kT ≈ NA , ∴ ψB Ei-EF /q kT/q ln NA / ni . 可见: 在ψs ψB 时, 表面处的多子浓度将小于体内的多子浓度, 而少子浓度将多于 体内的少子浓度，即表面呈现为弱反型的表面; 在ψs 2ψB 时, 表面处的多子浓度将远小于体内的多子浓度,而少子浓度将远 多于体内的少子浓度，为强反型表面. 理想MOSFET的阈值电压: 说明: ①MOSFET是“理想”: 在MOS系统中不含有任何电荷状态 除栅电压在半导体表面产生的空间电荷以外, 不考虑表面态电荷和M-S功函数差 . →在栅电压VGS 0 时, 半导