微波器件与电路第三次课122009.pptVIP

复习 微波晶体管的发展 1、1948年发明双极晶体管，但工作频率不高。 2、60年代晶体管进入微波频段，但特征频率在10GHZ左右已到极限。 3、1966出现肖特基势垒砷化镓场效应晶体管 4、70年代后GaAS技术发展迅速，工作频率到毫米波段。 5、现今GaAS MES FET不断向更高频率，更宽频带发展，但在低频段，双极晶体管的应用仍然大于FET。 PN结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅型场效应晶体管（IGFET） 金属-半导体场效应晶体管——在GaAs衬底上制做的N沟道金属-半导体场效应晶体管（GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistor 缩写成GaAs MES FET）。 由传输线理论知，传输线上任意一点电压波和电流波都由一个入射波和一个反射波叠加，即 为使传输线上的电压（电流）与功率更直接联系起来，令： 习题：比较FET和BJT的异同，分别说明其噪声性能与工作频率的关系，以及如何选用此2类晶体管？ 将微波晶体管看成如图示二端口网络，其性质由参数S决定。并以端口上的a为自变量，b为因变量，则实验证明有如下关系： 若以Ui为自变量，Ur为因变量，则散射方程表示成 S11、S12、S21、S22称为晶体管的S参数，又称“散射参数”。它们分别定义如下： S12为输入端口匹配时（ZS=ZC，Ui1=0），网络的反向传输系数； S22为输入端口匹配时（ZS=ZC），输出端口的反射系数。 S11为输出端口匹配时（ ZL=ZC，Ui2=0），输入端口的反射系数； S21为输出端口匹配时（ ZL=ZC ），网络的正向传输系数； S参数是把MT看作有源二端口网络时，在Zi=Zo=Zc且等于50Ω时测得的，称普通散射参数。S参数是无量纲的复数，它是工作频率、工作状态和电路组态的函数。当设计MTA的输入、输出端的匹配网络时，ZC、f、电路组态等均应与测试条件相同。 因为 Ui2=Ur2ΓL ，由 下式求得 输入端反射系数Γ1为 式中，D=S11 S22- S12 S21 同理，求得Γ2为 将 代入 上式得 微波晶体管放大器的作用 在射频上对微弱信号进行放大，降低总噪声系数(提高S/N)，以提高接收机的灵敏度。 对微波晶体管放大器的要求 极低的噪声； 功率增益高； 稳定性好； 适当的通频带、动态范围大、驻波比小、失真小等。 一、微波晶体管放大器的功率增益 研究功率增益的目的在于选择合适的ZS和ZL，得到所需要的功率增益。工作功率增益、额定功率增益、转换功率增益、单向转换功率增益、最大功率增益、最大稳定功率增益六种来表示。 Ur2 为了便于用S参数进行分析，将输入端的Zi 、 ZS 和输出端的ZO 、 ZL分别用他们相对于参考阻抗ZC的反射系数Γ1 、 ΓS 和 Γ2 、 ΓL来表示，即 1、工作功率增益GP 输入端的入射波Ui1 为 输入端的反射波Ur1 为 Uo—信号源直接输出的电压波 定义：负载上得到的功率PL与放大器输入端的功率P1之比。 由上两式求得 输入功率为 将Ui1 和Ur1代入上式得 输出端反射波为Ur2，且Ui2=ΓLUr2，则负载上的功率PL为 PL： 经变换求得Ur2为 求得PL为 结论： GP只与S参数和ΓL有关。用它来研究ZL变化对放大器功率增益的影响是很方便的。 化简得（1-37）式 2、转换功率增益Gt Gt定义为PL与Psa的比值。Psa是输入端Γ1=Γ*s (输入端实现共轭匹配时）时，信号源所能给出的最大功率，即： 结论： Gt与S参数、ΓL、ΓS有关。物理意义是：插入放大器后负载实际得到的功率是无放大器时可能得到的最大功率的多少倍。 3、额定功率增益Ga Ga只与S参数和Γs有关。放大器要同时满足双共轭匹配比较困难， Ga只是表示放大器功率增益的潜力。 一般GpGt,GaGt 而Gt最常用，当实现双共扼匹配 时，三者相同。 Ga定义为Pla与Psa的比值，即： 消去Г1， ГL,可得： 1、噪声性能参数有哪几种表示方法？ 2、级联电路总噪声系数公式 HEMT放大器 GaAs MES FET 放大器 双极晶体管放大器 HBT放大器 分布式放大器 微波高频放大器 量子放大器 雪崩二极管放大器 参量放大器 微波晶体管放大器 转移电子器件放大器 一.概述 微波晶体管的频率极限和允许的电压极限方程由下式决定 Um：加在器件上的最大允