特种半导体器件应用课程练习题及答案.doc

特种半导体器件和应用课程练习题 第二章 特种可控硅 可控硅中损耗与频率的关系。 通损耗和反向恢复损耗所占总损耗的比例随着频率的增高而加大；而通态损耗占总损耗的比例随着频率增高而减少，当达到某一频率(表中5kHz)时降到零。因此，可控硅在低频工作时，通态损耗占主要部分；当频率增高到某一数值时，开关损耗(开通损耗和反向恢复损耗)和扩展损耗开始占主导地位；进一步增加工作频率，只出现开关损耗和扩展损耗。特别是开通损耗随着频率提高而单调地增加，频率越高，开通损耗越大。大的开通损耗将使平均结温升高，这一开通损耗并不是分散在整个阴极结面上，而是集中在局部的初始导通区内，引起初始导通区的瞬时温升增高，从而导致器件在短期内出现热疲劳损坏，缩短元件的工作寿命，严重时可能立即烧毁。 可关断可控硅（GTO）的基本原理。 GTO和普通可控硅一样，均为PNPN四层三端元件，只是GTO的关断结构和关断机理与普通可控硅有所不同。GTO和普通可控硅最重要的区别就是回路增益α1+α21，而近似等于1，因而处于临界导通状态。 GTO的主要参数。 最大可关断阳极电流IATO。2.关断增益βoff。3.掣住电流IL。4.关断时间toff。 双向可控硅的触发方式 1．I+触发方式。 2．I -触发方式。3．Ⅲ+触发方式。4． Ⅲ-触发方式 画出用开关S有切换双向可控硅的三种工作状态，开关S在位置1上，双向可控硅处于断态，电路不接通。在位置2上，门极只允许半波电流通过，这时双向可控硅相当普通可控硅。在位置3上，门极全波接通。并说出在位置2和位置3上各自的触发方式 图(b)开关S有三种工作状态， 开关S在位置1上，双向可控硅处于断态，电路不接通。 在位置2上，门极只允许半波电流通过，这时双向可控硅相当于普通可控硅， 负载RL上得到半波脉动直流功率，触发方式为I+。 在位置3上，门极全波接通，触发方式为I +和Ⅲ-。 双向可控硅的重要特点。 不管所加触发信号电压UG对T2是正向还是反向，双向可控硅都能被触发导通。双向可控硅的这个特点是普通可控硅所没有的。 双向可控硅的特性参数。 1．双向可控硅的伏安特性曲线。2．额定通态平均电流和额定通态平均电压。3．门极可触发电流IGT和门极可触发电压UGT。4．维持电流(IH)和掣住电流(IL)。5．浪涌电流ITSM。6.换向电流临界下降率di/dt|c。7．结温 画出双向可控硅灯光调节电路并说明其工作原理。 双向二极管2CTS、R1和C1组成触发电路。当电源电压为正半周时，电源电压通过R1向C1充电，电容C1上的电压极性是上正下负。当这个电压增高达到双向二极管的转折电压时，双向二极管导通，使双向可控硅的门极G相对主电极T2得到一个正向触发脉冲，使双向可控硅导通。这相当于I+触发方式。在电源电压过零的瞬间，双向可控硅自动阻断；当电源电压处于负半周时，电源电压对C1反向充电，C1上电压的极性为下正上负，当这个电压值达到双向二极管的转折电压时，双向二极管导通，使双向可控硅得到一个负向触发信号，使双向可控硅导通。这相当于Ⅲ-触发方式。在电路中，调节R1的阻值，可以改变R1C1的时间常数，从而改变了触发脉肿的出现时刻，即改变了双向可控硅的导通角，因而使负载上得到的平均电压不同，达到调节灯光的目的。电阻R2、R3和电容C2是为了防止灯从关／开，产生灯突然亮的“突跳”，而且可将移相范围扩大。 光控可控硅的工作原理。 可以把元件看成是由两个三极管组成的。 一个是P1N1P2型三极管，另一个是N1P2N2型三极管， 如图(a)所示。中间的N1P2部分为两个三极管共用，这一部分相当于一个光电二极管。当一定照度的光信号照射到J2处的光敏区时，在光能的激发下，J2附近产生大量的电子和空穴两种载流子，它们在外加电压的作用下穿过J2结的阻挡层，使光控可控硅从阻断状态变成导通光控可控硅导通之后，即使无光照也不会自行截止，而只有当加在元件上的正向电压降到零或成为反向电压才会截止。 第四章 热敏电阻 写出热敏电阻器的几个主要特性和主要参数。 1．电阻-温度特性。2.伏-安特性 1．标称电阻值R25Ω。2．电阻温度系数 % ℃ -1 。3．耗散系数H 单位W℃ -1 。 4．时间常数τ 单位J ℃ -1 。 5．额定功率PE 。 6．测量功率。 写出热敏电阻流量计的原理并画出示意图。 它是将两个热敏电阻器分别置于管道中央和温度与流动介质相同，但不受介质流 速影响的小室中。两只热敏电阻RT1、RT2和电阻器R1、电位器W2构成电桥 的四臂。电位器W1和电位差计G作为流量指示器，直流电源E通过开关K加 到桥路的两个端点上。当介质处于静止状态时，电桥处于平衡状态，电流计没 有指示；当