第五章物理气相淀积详细分析.pptVIP

蒸发原子与分子的形态： ?大部分碱金属、贵金属、过渡性金属—单原子逸出 ?蒸发半导体、半金属时，多以2个或2个以上原子集 合体逸出（Sb、As、P） ?有的化合物会分解 (CdS：Cd，S等) ?某些合金膜会偏离原组分 真空蒸发工业设备 二、电子束 (Electron Beam)加热蒸发 发射电子束 加速（数千伏） 偏转（横向磁场） 轰击坩埚 薄膜沉积 磁场偏转法的使用可以避免灯丝材料的蒸发对于沉积过程可能造成的污染。 优点： 1、能克服电阻加热方法可能受到坩埚，加热体以及各种支撑部件的污染的缺点。 2、能克服电阻加热方法受到加热功率或温度的限制 可蒸发高熔点材料薄膜(3000℃) 。 3、在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得人们可以同时或分别对多种不同的材料进行蒸发。 缺点： 1. 电子束能量的绝大部分要被坩埚的水冷系统 所带走，因而其热效率较低。 2. 造价较高，操作稍复杂 3. 部分残余气体被电离，影响膜结构 4. 部分化合物会分解 典型应用： 1、纯金属、合金、氧化物材料 2、有机电致发光薄膜 电阻蒸发与电子蒸发复合镀膜设备 三、电弧蒸发装置 原理： 将欲蒸发的材料制成放电电极，在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积。 方法： 1、直流加热法 2、交流加热法 缺点： 在放电过程中容易产生微米量级大小的电极颗粒飞溅，从而会影响沉积薄膜的均匀性。 应用： 硬质膜（TiN/TiC） 四、激光蒸发(Laser Evaporation)装置 激光沉积法: 使用高功率的连续或脉冲激光束作为能源进行薄膜的蒸发沉积的方法. 是一种在高真空下制备薄膜的技术，激光源放置在真空室外部，激光束通过真空室窗口打到待蒸发的材料上，高能激光光子将能量直接转移给被蒸发的原子使之蒸发，最后沉积在基片上。 优点： 1、激光是清洁的，使来自热源的污染减少 到最低； 2. 激光光束只对待蒸镀材料的表面施加热 量，可减少来自坩埚等支撑物的污染； 3. 材料的蒸发速率高，蒸发过程容易控制， 使得高熔点的材料也可以以较高的沉积速 率被蒸发； 4. 适用于蒸发成分比较复杂的合金或化合物 材料 脉冲激光产生高功率的脉冲，实现靶材的某一小区 域的瞬间蒸发，因此对化合物组元蒸发具有很大优势， 在蒸发时不会发生组分的偏离现象，能够保持源材料的纯 度。 要求： 昂贵的准分子激光器，需要采用特殊的窗口材料将激光束引入真空室中，并要使用透凹面镜等将激光束聚焦至被蒸发的材料上。针对不同波长的激光束，需要选用具有不同光谱透过特性的窗口和透镜材料。 典型应用： 氧化物超导薄膜（YBCO）、氧化物铁电介电薄膜、铁氧体薄膜等。 缺点： 靶要烧制良好、致密，防止蒸发出颗粒 五、空心阴极蒸发装置 原理： 中空金属Ta管为阴极，被蒸发物质为阳极，在两极之间加上一定的电压，并在Ta管内通入少量的Ar气体，阴阳两极之间产生放电现象，这时，Ar离子的轰击会使Ta管的温度升高并维持在2000K以上，从而发射大量热电子，热电子从Ta管引出来并轰击阳极，导致物质的热蒸发，并在衬底上沉积薄膜。 特点： 空心阴极可以提供数安培至数百安培的高强度电子流，从而提高薄膜的沉积速度； 大电流蒸发出来的物质原子进一步发生部分的离化，从而生成大量的被蒸发物质的离子。如果在阳极与衬底之间加上一定幅度的偏置电压的话，被蒸发物质的离子可以轰击衬底，从而影响薄膜的沉积过程，改善薄膜的微观组织。 缺点： 空心阴极在工作时要维持1-10-2Pa的气压条件； 空心阴极在产生高强度电子流的同时也容易产生阴极的损耗和蒸发物质的飞溅 溅射已成为IC制造中金属淀积的主流工艺 溅射工艺相对于蒸发工艺的优势在于： 1.台阶覆盖性得到改善 2.辐射缺陷远小于电子束蒸发 3.容易制备难熔金属、合金材料和复合材料薄膜 2 溅 射 溅射工作原理 溅射（sputtering）又叫阴极溅射（cathodic sputtering）。通过用由稀有气体在低真空下放电获得的正离子轰击置于阴极的固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出，进而以一定能量淀积在基片上，形成薄膜 基本溅射步骤 在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速； 在加速过程中获得动量，并轰击靶； 离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分； 被撞击出（溅射）的