第一章 常用半体器件习题解答.doc

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。（? ） ??? （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（? ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ?） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） ?（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ?） ??? （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ?） 解：（1）√ ??（2）×?? （3）√ ??（4）× ??（5）√ ??（6）× ???? 二、选择正确答案填入空内。 ??? （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将??? ?。 ???????? ??A. 变窄?????? B. 基本不变????? C. 变宽 ??? （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是? ???。 ????? ?????A.? ISeU?????? B. ???????C. ??? （3）稳压管的稳压区是其工作在??? ?。 ?????????? A. 正向导通??? B.反向截止????? C.反向击穿 ??? （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为??? ?。 ?? ????????A. 前者反偏、后者也反偏?? ????????B. 前者正偏、后者反偏 ????????? ?C. 前者正偏、后者也正偏 ??? （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有??? ?。 ?????????? A. 结型管? B. 增强型MOS管?? C. 耗尽型MOS管 ??? 解：（1）A?? （2）C?? （3）C?? （4）B?? （5）A? C ???? 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。　 ??解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。 ?四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 　　 ??? UO1＝6V，UO2＝5V。 ?五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 ?解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。 ???? 六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： ??? （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ ??? （2）若T临界饱和，则Rb≈？ ??? 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 ????? μA ????? ? ?所以输出电压UO＝UCE＝2V。??????????????????? （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以???????? ????????????????? ??? 七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 表T1.7 管? 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 ? T2 －4 3 3 10 ? T3 －4 6 0 5 ? ?解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。 ? 解表T1.7 管? 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 恒流区 T2 －4 3 3 10 截止区 T3 －4 6 0 5 可变电阻区 ? 习???? 题 ??? 1.1 选择合适答案填入空内。 ??? （1）在本征半导体中加入??? 元素可形成N型半导体，加入 ???元素可形成P型半导体。????????? A. 五价?? ??????B. 四价?? ?????C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将??? ?。? A. 增大? B. 不变???? ???C. 减小 ??? （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为????