冶金分析前沿：IP法发射光谱分析ICP法检出限与几种方法的比较2011.docVIP

P42 -43 表3.1 ICP法检出限与几种方法的比较 表3.1 ICP法检出限与几种方法的比较 序号 元素 AAS/(ug/L) ICP-AES/(ug/L) ICP-MS/(ug/L) 　 F-AAS GF-AAS D.L.80 D.L.99 　 1 Ag 1.5 0.01 6.6 0.3 0.003 2 Al 45 0.1 22 0.2 0.006 3 As 30 0.2 50 0.9 0.006 4 Au 9 0.1 16 0.6 0.001 5 B 1000 20 4.5 0.3 0.09 6 Ba 15 0.35 1.2 0.04 0.002 7 Be 1.5 0.003 0.25 0.05 0.03 8 Bi 30 0.25 21 2.6 0.0005 9 Ca 1.5 0.01 0.18 0.02 0.5 10 Cd 0.8 0.008 2.4 0.09 0.003 11 Ce —— —— 50 2 0.0004 12 Co 9 0.15 5 0.2 0.0009 13 Cr 3 0.03 4 0.2 0.02 14 Cs 15 0.04 —— —— 0.0005 15 Cu 1.5 0.04 2.3 0.2 0.003 16 Fe 5 0.1 1.7 0.2 0.4 17 Ga 50 0.1 21 4 0.001 18 Ge 100 3 17 6 0.003 19 Hf 300 —— 11 3.3 0.0006 20 Hg 50 0.6 25 0.5 0.004 21 ln 30 0.04 59 9 0.0005 22 lr 900 3 25 5 0.0006 23 K 3 0.008 60 0.2 1 24 La 2000 —— 9.4 1 0.0005 25 Li 0.8 0.06 1.8 0.2 0.027 26 Mg 0.1 0.004 0.14 0.01 0.007 27 Mn 0.8 0.02 1.3 0.04 0.002 28 Mo 30 0.08 7.4 0.2 0.003 29 Na 0.3 —— 29 0.5 0.03 30 Nb 1500 —— 39 5 0.0009 31 Ni 5 0.3 9.4 0.3 0.005 32 Os 120 —— 0.34 0.13 —— 33 P 21000 0.3 73 1.5 0.3 34 Pb 10 0.06 40 1.5 0.001 35 Pd 10 0.8 40 3 0.0009 36 Pt 6 1 28 4.7 0.002 37 Rb 3 0.03 　 30 0.003 38 Re 600 —— 57 3.3 0.0006 39 Rh 6 0.8 40 5 0.0008 40 Ru 60 —— 28 6 0.002 41 S 　 —— 30 9 70 42 Sb 30 0.15 17 2 0.001 43 Sc 30 6 　 0.09 0.015 44 Se 100 0.3 70 1.5 0.06 45 Si 90 1 9 1.5 0.7 46 Sn 50 0.2 25 1.3 0.002 47 Sr 3 0.025 0.4 0.01 0.0008 48 Ta 1500 —— 24 5.3 0.0006 49 Te 30 0.1 39 10 0.01 50 Th 　 　 61 5.4 0.0003 51 Ti 75 0.35 3.5 0.05 0.006 52 Tl 15 0.15 39 1 0.0005 53 U 15000 —— 240 15 0.0003 54 V 20 0.1 4.6 0.2 0.002 55 W 1500 —— 28 2 0.001 56 Y 75 —— 3.2 0.3 0.0009 57 Zn 1.5 0.01 1.7 0.1 0.003 58 Zr 450 —— 6.6 0.3 0.004 P52 表3.3等离子光谱用光栅的基本参数 光栅刻线密度/（刻线/mm） 3600 4320 4960 适用光谱范围/nm 160～800 160～510 160～420 160～372 实际分辨率/nm ≈0.010 ≈0.008 ≈0.006 ≈0.005 只用一个化学系统（一块光栅）） 目前采用高刻全息光栅的光谱范围在165～800nm（可分析铝167.020nm ），若配置适当的光学接口和检测器，还可扩展至小于150nm的远紫外光区（可分析氯134.724nm）。 具有代表性的光栅仪器是采用2400刻线/nm，一个光栅