第6章存储器20150503.ppt

除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储。 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 (1)半导体存储器的分类 按制造工艺分： 双极型：速度快、集成度低、功耗大、价格高。一般用作Cache。 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低，价格便宜。包括静态RAM、动态RAM、EPROM、EEPROM和Flash Memory等。 按信息存储方式分 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失。 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失。 半导体存储器的详细分类图示： 读写存储器RAM 只读存储器ROM (1)半导体存储器一般结构及组成 (2)静态RAM (3)动态RAM (1)只读存储器的结构 (3)典型PROM芯片 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP 直接映像 主存中的每一页只能复制到某一个固定的Cache页中，可以同时复制16页。规律：主存共2048页按顺序分为128组，每组16页，分别与Cache的16页直接映像，即第0、16、32等页只能映像到Cache的第0页第1、17、33等页只能映像到Cache的第1页。 在Cache方面，为每一页设立一个7位的Cache标志。如果现在Cache第0页复制的是主存中第16页的内容，其标记段为1，表示它现在与主存第1组相对应。 直接映像方式比较容易实现，但不够灵活，有可能使Cache存储空间得不到充分利用。 全相联映像 主存中的每一页可映像到Cache中的任一页。访问主存时，给出的20位地址分为两部分：高11位为主存页号，低9位为页内地址。Cache中每页的标记为11位，表示它所映像的主存页号（2×1024页之一）。 优点：映像关系比较灵活。 缺点：不能直接从主存地址码中提取Cache页号，需与Cache标记逐个比较，速度较慢，不太实用。 组相联映像 折衷方案，主存与Cache都分组，主存中一个组内的页数与Cache中的分组数相同。如果Cache只有一组，就是全映像方式，如果Cache分为16组，每组只有一页，就是直接映像。 可根据设计目标选取一个折衷方案。如：主存分为256组，每组8页；Cache分为8组，每组2页。规律：主存的第0、8、16等共256页，均映像到Cache的第0组，但可以映像到改组内的第0页或第1页。 访问内存时，20位主存地址分为4部分，高7位连同1位Cache组内页号共8位，称为主存页标记，即主存的组号；Cache组号3位，可选择8组之一。低9位为页内地址。 Cache为每一页设有8位标记，填写所复制的主存页的组号，访问主存时，根据中间两段共4位找到Cache页，判断是否命中。 掩膜式ROM（ROM） ROM结构简单，价格便宜。存储器不需要加电来保持数据，因为在芯片里数据是以“硬连线”方式形成的。数据只能在制造期间由生产厂家用光刻工艺把程序代码 “烧”到芯片里。 三种类型的ROM结构图 一个ROM单元的照片（左边是放大1000倍，边是放大11200倍的） 现场编程ROM （PROM） PROM在出厂时未存储任何信息，使用时用户可根据需要自行写入信息，但信息只能写入一次，一旦写入变不可更改。 产品类型为双极型，速度快，功耗大。基本存储电路有熔丝型和PN击穿型两种。读数时间范围40~90ns，有些ECL产品读数时间可降低到20ns。 熔丝型PROM基本存储电路 PN结击穿型PROM基本存储电路 可改写的PROM（EPROM） 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息。 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程，编程后，应该贴上不透光封条。出厂时，每个基本存储单元都是信息1，编程就是将某些单元写入信息0。 擦除信息的方法：在紫外线下照射5~15分钟。 可改写的PROM（EEPROM） EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。有四种工作方式：读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式，包括并行EEPROM 和串行EEPROM 两种。EEPROM不能取代RAM的原因是工艺复杂， 耗费门电路过多，且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数比较低。 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM。 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 EPROM2764 EPROM2716 EPROM芯片2764 单片容量8K×8，读出时间200至500ns，与27128、27256兼容。 8种工作方式： 待用方式：未用，