高频电子电路第2章_选频网络解释.pptVIP

结论： 由低抽头向高抽头转换时，等效阻抗提高 倍。 由高抽头向低抽头转换时，等效阻抗提高 倍。 在高频电子线路中，常采用图３.５.２所示的两种耦合回路。图３.５.２（ａ）为互感耦合串联型回路；（ｂ）为电容耦合并联型回路。 图 3.5.2 两种常用的耦合回路 一、互感耦合回路的一般性质 图3.5.3 互感耦合回路的一般形式 由基尔霍夫定律得出回路电压方程为 式中，Z11为初级回路的自阻抗，即Z11 R11+jX11, Z22为次级回路的自阻抗，即Z22 R22+jX22。 由基尔霍夫定律得出回路电压方程为 解得 图3.5.4 初级等效电路 反射阻抗，又称为耦合阻抗，它的物理意义是：次级电流通过互感Ｍ的作用，在初级回路中感应的电动势对初级电流的影响，可用一个等效阻抗Zf1来表示。 图3.5.5 次级等效电路的两种形式 在次级回路中反射阻抗Zf2： 图3.5.5 次级等效电路的两种形式 图3.5.6 矩形选频特性与单回路谐振曲线 二、耦合振荡回路的频率特性 广义失谐量： 耦合因数（电容耦合电路）： 图3.5.7 次级回路电压归一化 的频率响应曲线 一般采用?稍大于1，这时在通带内放大均匀，而在通带外衰减很大，为较理想的幅频特性。 图 3.6.1 LC集中选择性滤波器 一、LC集中选择性滤波器 为了获得工作频率高度稳定、阻带衰减特性十分陡峭的滤波器，就要求滤波器元件的品质因数Ｑ很高。LC型滤波器的品质因数一般在100～200范围内，不能满足上述要求。 石英谐振器的品质因数Ｑ可达几万甚至几百万，因而可以构成工作频率稳定度极高、阻带衰减特性很陡峭、通带衰减很小的滤波器。 二、石英晶体滤波器 l. 压电效应和压电振荡 在石英晶体两个管脚加交变电场时，它将会产生一定频率的机械变形，而这种机械振动又会产生交变电场，上述物理现象称为压电效应。 通常，压电效应并不明显。但是，当交变电场的频率为某一特定值时，机械振动和交变电场的振幅骤然增大，产生共振，称之为压电振荡。 图 3.6.2 石英谐振器的符号 和基频等效电路 2. 石英晶体的等效电路和振荡频率 图 3.6.2 石英谐振器 基频等效电路 当石英晶体不振动时，可等效为一个平板电容C0，称为静态电容；其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积，一般约为几～几十pF。 当晶片产生振动时，机械振动的惯性等效为电感Lq，其值为几mH～几十H。 晶片弹性等效为电容Cq，为0.01～0.1pF，∴Cq C0 。 晶片的摩擦损耗等效为电阻rq，约为100Ω，理想情况下rq 0。 当等效电路中的Lq、Cq、rq支路产生串联谐振时，该支路呈纯阻性，等效电阻为R，谐振频率 此时，整个网络的阻抗等于R并联C0的容抗，因R C0的容抗，故可近似认为整体也呈纯阻性，等效电阻为R。 当f＜ f s时，串联支路呈容性，石英晶体呈容性。 当f ＞f s时，L、C和R支路呈感性，在某一频率将与C0产生并联谐振，石英晶体又呈纯阻性，谐振频率： 由于Cq C0，所以f s ≈f p。 当f ＞f p时， C0容抗最大，起主导作用，石英晶体又呈容性。 O 容性 容性 感 性 图 3.6.2 石英晶体谐振器的电抗曲线 3. 石英晶体滤波器的特点 频率稳定度很高 它具有很高的Q值，高达104 ～ 106，即频率选择性好。 b rq L q Cq C o a 其次，晶体的C0 Cq, 它的接入系数p ≈ Cq /C0很小，大大减小了加到晶体两端的外部电路元件对晶体的影响。 考虑信号源内阻RS和负载电阻RL后，由于回路总的损耗增大，回路Q值将下降，称其为等效品质因数QL。 为了区别起见，把没有考虑信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q值叫做无载Q值 或空载Q值 ，用Q0表示；而把考虑信号源内阻和负载电阻时的Q值叫做有载Q值，用QL表示。 由于QL值低于Q0，因此考虑信号源内阻及负载电阻后，串联谐振回路的选择性变坏，通频带加宽。 2. 电源内阻与负载电阻的影响 要研究并联振荡回路的选频特性，可以考察其阻抗随频率变化的规律。 损耗电阻 损耗电阻 回路的总阻抗 通常，损耗电阻R在工作频段内满足： 或 高Q 采用导纳分析并联振荡回路及其等效电路比较方便，为此引入并联振荡回路的导纳。 一、并联振荡回路特性 损耗电阻 回路总导纳 式中电导G和电纳B分别为 B w O 电纳 w C B w C － 1 w L 1 L w － p w 感性 容性 w P 谐振特性：其导纳在某一特定频率上具有最小值（谐振状态），而偏离此频率时将迅速增大。 谐振条件: 即谐振频率 或 回路总导纳 1 ? ?p时， B 0呈感性； 2 ? ?p时， B 0呈纯阻性； 3 ? ?p时