2几种新的驱动电路.ppt

关于IGBT驱动的讨论 技术研究中心 李晓玲 2010.9 关于IGBT驱动的几种新电路的讨论 驱动电路的两个功能 关于IGBT驱动的几种新电路的讨论 1 IGBT驱动过程中的矛盾 1 IGBT驱动过程中的矛盾 开通过程： t0~t1影响栅极电压Uge上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，栅极电压上升较快 t1时刻开始，两个原因导致Uge波形偏离原有的轨迹 ： 1、发射极电路中的分布电感Le（t1~t2） 2、栅极－集电极电容Cgc的密勒效应 （t2~t3） 1 IGBT驱动过程中的矛盾 关断过程： t0~t1时IGBT工作在饱和区 t1~t2时刻开始，IGBT进入线性放大区，栅极－集电极电容Cgc的密勒效应导致Uge电压不变。 t2~t3时刻为自然过程 1 IGBT驱动过程中的矛盾 驱动电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大时脉冲波形的前后沿会发生延迟和变缓。 开通越快，损耗越小 ，但IGBT承受的峰值电流越大，越容易导致IGBT损害。 关断越快，损耗越小，但过快会造成di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 2 几种新的驱动电路 3 驱动信号传输电路的几种方案 目前驱动信号的传输主要有三种方式： 1、光耦隔离驱动： 3 驱动信号传输电路的几种方案 3 驱动信号传输电路的几种方案 5 QA * * 2008 Eaton Corporation. All rights reserved. This is a photographic template – your photograph should fit precisely within this rectangle. 提供合适的栅极驱动脉冲 （开关损耗小、di/dt和dv/dt小、震荡小 ） 实现控制电路和被驱动IGBT栅极的电隔离 （脉冲变压器、光耦、集成电路 ） IGBT驱动过程中的矛盾 几种新的驱动电路 驱动信号传输电路的几种方案 传统的IGBT驱动电路： IGBT等效电路 开通过程 关断过程 带续流二极管的电感负载电路 1、二段式驱动方式（仅对关断过程）： 本方法的原则是使Vce的上升和Ic的下降其中一项摆脱串联电阻的控制，从而使关断过程可控因素增加，改善关断过程。 其中R1较小，此处取1.1ohm，R2较大，此处取15ohm。 在关断过程的开始，T1、T2都是开通的，Cge通过R1和R2的并联电路放电，所以放电速度很快，VCE开始上升的斜率也相应增大。 直到VCE上升到使齐纳二极管D1导通，从而电流经由D1和C1电路使单稳态触发器触发，其输出使T1关断一个固定的时间。T1关断后，由于R2的阻值较大，所以，IC缓慢下降至零。 一定时间后T1重新开通，以保证关断的低阻状态，完成关断过程。 线路简单，成本不高，效果较好，但对开通过程没有帮助。 图a 传统关断方式，Rg＝1.1ohm 图b传统关断方式，Rg＝15ohm 图c Double-stage Driver 图d过压与损耗关系曲线 其中测试IGBT的直流电压400VDC，负载电流2000A 2、开通：2-step Gate Control Voltage 关断：3-step Gate Control Voltage 本方法的原则是通过改变Vge的波形来在减小dv/dt,di/dt的基础上尽量减少损耗的增加，寻找EMI与损耗间的最优值。 开通过程工作原理框图和理想波形 两个参量： Vge中间电平电压值VINT； Vge中间电平持续时间TINT。 目标是尽量减小di/dt，从而减小过流和电磁干扰。 di/dt主要依赖于VINT的大小，与负载电流和环境温度没有关系。实际工作中TINT设为一个常量，通过调节VINT来对电流斜率进行控制，这样只需要控制一个变量。 开通过程 关断过程工作原理框图和理想波形 To时间段内电压V1和V2