Sb2Te3拓扑绝缘体材料的第一性原理计算精编.docVIP

毕业论文 题 目：Sb2Te3拓扑绝缘体材料的第一性原理计算Sb2Te3拓扑绝缘体材料的第一性原理计算【摘要：使用基于第一性原理的密度泛函数理论赝势平面波的方法，对Sb2Te3的能带结构，态密度进行了理论计算，由能带的计算表明Sb2Te3是一种直接带隙半导体，它的禁带宽度是0.11eV；并且它的能态密度主要是取决于Sb的 层电子和Te的 层电子的能态密度，经过认真比较，计算结果和现有实验数据比较吻合。 【关键词：Sb2Te3；第一性原理；电子结构 引言; 近几年凝聚态物理学中出现的一个最新的研究领域--拓扑绝缘体，他是一种新型的量子物质态。在拓扑绝缘体中，电子能带的拓扑性质可以产生很多新鲜奇特的物性，使他很有希望低能耗的自旋电子器件和容错量子计算中得到应用，而对与信息技术，这两个领域的进展将有可能对其产生革命性的影响。因此拓扑绝缘体一经发现，便迅速引起了人们研究兴趣。 中科院在近几年中对拓扑绝缘体的研究取得了很大进展。其首先实现了高质量Sb2Te3薄膜的分子束外延生长(MBE)。实现了对Sb2Te3薄膜中缺陷的浓度以及类型的有效控制。并且实现了对Sb2Te3薄膜的费米面在整个体能隙范围内的有效调节，特别是其费米面能够穿过狄拉克点达到表面态电荷中性点【7】 ； 首次证实了Sb2Te3表面态的准粒子寿命几乎不受本征替代缺陷的影响，只会受到电子相互作用