131108第03章 单极放大器04.pptVIP

电子工程学院 Ch. 3 # * 共源共栅结构的屏蔽特性(1) 左图中M2、M4均工作在饱和区，若A点电压变化△VA，求△VB=？ 易见，因共栅管M4的引入B点电压的变化量比A点减小了(gm4+gmb4)r04倍, 即M4将B点屏蔽了。 电子工程学院 Ch. 3 # * 共源共栅结构的屏蔽特性(2) 假定 ID1 是参考电流， ID2 是输出电流。若 λ≠0 且 VX≠VY ,静态调整时一般VP=VQ, ID1 与 ID2 在静态时不存在误差。 动态时因VY发生变化导致VQ也发生变化, 因共源共栅的屏蔽特性, ID1 与 ID2 产生的误差为: ID1-ID2 ≈ 0.5kn’(W/L)(Vb1-VTH)2λ(△VY)/[(gm4+gmb4)ro4], 比(a)减小了 [(gm4+gmb4)ro4]倍,从而提高了电流镜的匹配精度。 前例结果 偏置电路 输出电路 电子工程学院 Ch. 3 # * 折叠式共源共栅结构 IS2 共源共栅的设计思路：将输入电压转化成电流，然后将其作为共栅极的输入。 PMOS和NMOS也可以共同完成。（a） 为了使它们偏置，增加一个电流源。（b） 电子工程学院 Ch. 3 # * 折叠式共源共栅结构 若I1为非理想恒流源,其交流小信号电阻为r0I1。 IS2 则流过M2源极及电阻RD的小信号电流IS2、IRD分别为: AV比同类型MOS管的折叠结构因引入恒流源I1而有所减小, 其优点留在运放章节分析 电子工程学院 Ch. 3 # * 例：画出Vout和VB随Vin从0变化到VDD的曲线 草图，假定＝3V,VTN＝| VTP |＝0.5，标出图中重要转折点。 电子工程学院 Ch. 3 # * 例：设Kn＝2Kp（Kn＝μnCox）， λ p ＝ 2 λn ，每个电路偏值电流相等。设每个管的W/L相等且均工作在饱和区。确定哪个或哪些电路具有下列特性： 1.最高小信号电压增益； 2.最低小信号电压增益； 3.最高小信号输出电阻； 4.最低小信号输出电阻 ； 5.最低功耗；6.最大Vout； 7.最小Vout； 8.最高f3dB 电子工程学院 Ch. 3 # * 共源共栅放大器小结 结合了CS、CB放大器的优点，Ai、AV较大且频带宽。 输出电压摆幅因层叠的MOS管而有所损失，在低电源电压运用中这是致命的。 在低电源电压电路中共源共栅结构因要消耗过多的电压余度运用较少，此时需多级CS放大才能达到需要的增益，这会给放大器的补偿带来更大困难。 电子工程学院 Ch. 3 # * 本章基本要求 掌握带电阻负载的CS放大器的设计参数间的折衷关系。 掌握恒流源负载的CS放大器增益与摆幅、速度、带宽之间的折衷关系。 理解MOS源跟随器为什么不能用作驱动低阻、大电容负载的原因。 理解CB放大器的阻抗变换特性、CS—CB结构的屏蔽特性及其输出阻抗大的特点及增益与摆幅的折衷关系。 理解记忆MOS二极管的小信号等效阻抗、MOS基本恒流源、共源共栅恒流源的输出电阻，会用小信号等效电路求简单电路的AV、Rin、Rout。 * 内容-电路分析 分析方法 直流工作点 公式求解 输入输出曲线 交流 小信号等效电路图 等效跨导输出电阻 分段推导 直观分析 看跨导 看输出电阻 电路结构 共源放大器 不同负载 推挽 源极负反馈 源极跟随器 共栅放大器 共源共栅放大器 套筒式 折叠式 衬底输入结构* 电路指标 直流指标 功耗 输入信号范围 输出信号范围 交流指标 低频增益 输入电阻 输出电阻 复习题 共源共栅级的屏蔽特性 * 问题3：谁先进入线性区？ Vint电位在初始状态下的确定？ 模拟CMOS集成电路设计： 时 间：2009年12月10日 韩 可 电子工程学院 Email: hanke@bupt.edu.cn Tel : 电子工程学院 电阻负载CS放大器 电子工程学院 MOS二极管连接负载的共源极 NMOS负载时，λ≠0，γ≠0 PMOS负载时， λ≠0，γ=0 Rin=[1/(gm2+gmb2)]//r02 Rin=(1/gm2)//r02 电子工程学院 采用电流源负载共源级的AV (∵λ ∝1/L) 静态工作点是否可“目测”的问题 工作在线性区的MOS负载的共源级 电子工程学院 带源极负反馈的共源级(λ=0，γ=0) 从源级看进去的阻抗 源级反馈电阻 负载电阻 目的：软化I/V曲线 带负反馈的共源级(λ≠0，γ≠0) ： 电子工程学院 源极跟随器（电压缓冲器） 电子工程学院 共栅放大器 直接耦合的共栅级 电容耦合的共栅级 输入——输出特性 重要结论和公式 直流： 共源：反相 源极跟随：