集成电路工艺原理大纲(新).docVIP

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  • 2017-06-08 发布于重庆
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集成电路工艺原理大纲(新)

集成电路工艺原理 Semiconductor Technology principles 一基本信息 课程代码: 课程学分: 面向专业: 课程性质: 开课院系:使用教材: 2007.2第一版 辅助教材 二课程简介 三选课建议四课程 课程的基本要求:系统学习硅VLSI平面工艺主要内容,包括硅片制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、扩散和离子注入、金属化、化学机械平坦化等各工艺的基本原理和方法。在掌握上述各项原理的基础上,再进一步全面学习作为当前国际上VLSI主流工艺技术的CMOS工艺流程和制作步骤,全面系统了解硅VLSI的整个制造技术过程、各步骤的工艺结构及其关键问题。 五课程内容 掌握平坦化及作用;掌握平坦化技术 超大规模集成工艺 掌握双极型工艺流程 掌握CMOS工艺流程 掌握BICMOS结构及工艺 观看录像,了解CMOS实际制作工艺 六、能力实现矩阵 能力目标 相关章节 主要实现手段 (知识点和教学环节) 1 掌握材料生长方法及相应原理 一、二 ppt,视频 2 掌握氧化工艺过程,机理,生长模式及特点 三 ppt,视频 3 掌握半导体掺杂的方法,工艺过程,原理 四,五 ppt,flash 4 掌握半导体薄膜沉积方法,工艺过程,特点 六,补充 ppt 5 掌握光刻,刻蚀的工艺流程 七 ppt,视频 6 掌握双极型及CMOS工艺流程 九 ppt,视频 七、教学

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