3章场效应管10讲详解.ppt

例题 设共射放大电路如图。 电路参数及 试计算中频电压增益、下限频率 和上限频率，画幅频特性曲线。 中频电压增益为 上限频率为 下限频率为 Multisim仿真软件 EWB 或Multisim：EWB Electronics Workbench 软件是加拿大交互图像技术有限公司在20世纪90年 代初推出的EDA软件，较新版本是Multisim2001， 具有强大的仿真功能和虚拟仪器功能，在桌面上提 供了万用表、示波器、信号发生器、扫频仪、逻辑 分析仪、数字信号发生器、逻辑转换器等工具。 PSpice 、Protel Multisim界面介绍 菜单 系统 工具栏 设计 工具栏 使用中 元件列表 元件 工具栏 仪器仪表工具栏 电路图 编辑窗口 状态栏 仿真开关 .com按钮 可读出幅度，上下限频率 练习1：放大电路如图所示。 （1）求Q； （2）若输出波形如图所示，问出现的是什么失真现象？ 为消除此失真，应调整电路中的哪个元件？如何调整? （3）求AV、Ri、Ro； 练习2：图示电路中晶体管的β＝100，VBE 0.7V，RC Re2 RL 10kΩ, RB 100kΩ,Re1 170Ω,电容都足够大，VCC VEE 10V。 （1）估算静态工作点（IB、IC、VCE）； （2）画出简化H参数小信号等效电路； （3）求电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro； （4）晶体管极间电容Cb’c、Cb’e电容值减小，对下限频率 fL和上限频率fH有何影响？ 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应三极管JFET Junction type Field Effect Transister 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET Insulated Gate Field Effect Transister IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 3章 场效应管放大器 3.1 结型场效应三极管 1 结构 2 工作原理 （动画2-9） D Drain --漏极 G Gate --栅极 S Source --源极 符号 动画2-8） a 漏极输出特性曲线 b 转移特性曲线 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7） 3 特性曲线 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压 对漏极电流的控制作用。 gm 跨导 的定义式如下 gm ?ID/?VGS? VDS const 单位mS 3.2 绝缘栅场效应三极管 MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 结构示意图和符号 （动画2-3） 1 N沟道增强型MOSFET 工作原理 动画2-4） 动画2-5 漏极输出特性曲线 转移特性曲线 特性曲线 结构示意图 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 2 N沟道耗尽型MOSFET N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 IGFET 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类场效应三极管的特性曲线 各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 3.3 场效应三极管的参数 ① 开启电压VT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS VP 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS 0时所对应的漏极电流。 ④ 直流输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS 毫西门子 。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。 3.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 载流子 多子扩散少子漂移 少子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电阻 几十到几千欧 几兆欧以上 噪声 较大 较小 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 制造