两岸LED相关语对照说明.doc

海峡两岸 信息产业技术标准论坛 半导体照明术语对照表 2009年2月 序号 大陆术语 英文 定义 台湾地区 术语 一、基本术语 1-01 半导体 semiconductor 两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。 半導體 半导体器件 semiconductor device 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。 半導體元件[半导体](semiconductor) diode 具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。 (半導體)二極體发光二极管LED light-emitting diode 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。 發光二極體 固态照明solid state lighting 采用固体发光材料如发光二极管LED）、场致发光EL）、有机发光OLED）等为光源的照明方式。 1-06 半导体照明 semiconductor lighting 采用照明。半導體照明 衬底 substrate 用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单片。 外延片 epitaxial wafer 用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。 1-09 发光二极light-emitting diode chip 具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。 發光二極體晶片(粒) LED模块LED module 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。 1-12 LED组件 LED discreteness 由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。 内量子效率 inner quantum efficiency 有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。 內部量子效率 出光效率 light extraction efficiency 逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。出光效率 注入效率 Injection efficiency 注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。 外量子效率 outer quantum efficiency 逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。 外部量子效率LED monochromatic light LED 发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。 單色LED 2-02 白光LED white light LED 用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。 白光LED 2-03 直插式LED； DIP LED Dual In-line Package LED 带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。 砲彈型封裝LED 贴片式LED； SMD LED Surface Mounted Devices LED 正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED 表面封裝型LED 小功率LED low power LED 单芯片工作电流在100mA100mA）以下的发光二极管。 2-06 功率LED power LED 工作电流在100mA以上的发光二极管。 高功率LED LED数码管 LED nixietube 采用LED显示数字或字符的器件或模块。 LED尼士管 2-08 LED显示器 LED displayer 采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。 LED顯示器 2-09 LED背光源 LED backlight 采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。 三、外延（工艺） 3-01 外延 epitaxy 用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。 磊晶 量子阱 quantum well 组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构。 量子井 单量子阱single quantum well 只有一个量子阱的材料结构。量子井 多量子阱 multi-quantum well 包含多个单量子阱的材料结构。量子井 金属有机化学汽相沉积MOCVD metal organic chemical vapor deposition 金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。有機金屬化合物半導體磊晶技術 超晶格 super lat