青海大学电工电子09半导体器件技术总结.pptVIP

二、PN结的单向导电性 三、半导体二极管 4、二极管基本电路及其分析方法 9-2 特殊二极管 一、BJT的结构简介 二、BJT的电流分配与放大原理 线性范围（动态范围） 四、BJT的主要参数 一、结型场效应管 1、结构 2、N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。 当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 1、内部载流子的传输过程 扩散到基区的自由电子中的极少部分与空穴复合，在电源VBB的作用下，电子与空穴的复合运动将源源不断地进行，形成基极电流 IB。 Jc加反向电压，使扩散到基区的自由电子中的大部分做漂移运动，越过Jc到达集电区，形成电流ICN 。同时，基区与集电区的少子做漂移运动形成集电极-基极反向饱和电流ICBO。 ICN +ICBO = IC （集电极电流） ≈ ICN Je加正向电压，扩散运动形成电子电流 IEN和空穴电流IEP。 IEN+IEP = IE （发射极电流） IE ≈IEN 。 三极管的放大作用是通过载流子传输体现出来的。 本质：电流分配关系 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 2、电流分配关系 根据传输过程可知 IE=IB+ IC (1) IC= ICN+ ICBO (2) IB= IB’ -