单晶寿命测定规程Ⅱ.docVIP

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单晶寿命测定规程Ⅱ

1.目的 通过正确的操作准确的测定载流子的真实寿命。 2.适用范围 ① 电阻率不小于0.1Ω·cm,厚度不大于1.5mm(最好为1mm以下)的单晶锭或样片。 ② 可测单晶少子寿命范围:100nS~5000mS。 3.使用设备·治工具 1、WT-1000型SEMILAB单晶寿命仪 4.使用材料 ①大于5%HF ②约70%HNO3 ③0.2~5%碘酒 5.环境要求 ①温度:10~35℃ ②湿度:<80% ③电源:220V, 50Hz(建议使用稳压源) 6.重要工艺参数 见操作步骤。 7.操作步骤 将主机和显示器电源与外部交流电源连接起来。 打开主机电源和显示器电源(显示器右下角),然后双击显示屏幕上的图标uPCD,最后显示测试画面。如下图: 样片处理: 3.1 目前使用的切片机有外圆切片机和内圆切片两种,所切的样片的厚度为2mm左右。 3.2 用混酸腐蚀10分钟(一次腐蚀的样片的数为6—8片),保证样片表面层去除量大于200μm.。 3.3 用腐蚀槽旁边的纯水冲洗30秒。(纯水的电导率为2MΩ.cm ) 3.4 然后用液流槽里的纯水液流3分钟。(纯水的电导率为10 MΩ.cm) 3.5 用10%的HF酸漂30秒 3.6 用腐蚀槽旁边的纯水冲洗30秒。 3.7 然后用液流槽里的纯水液流3分钟。 3.8 用压缩空气吹干 3.9 .加3%的碘酒测试寿命 样片测试:有如下二种方法测试,将根据客户关联比对情况来选择测试方法。 将处理后的样品置于样片袋中,将袋口打开,向里注射约1CM3碘酒并将碘酒均匀的涂在样片上,排除里面的气泡后闭合袋口。约1分钟后放置在仪器的载物台上开始准备测试。 将处理后的样片直接放置在仪器的载物台上。 载物台上的样片根据样片尺寸来准确定位。 5.1 载物台上有二排成扇型的小孔,由中心向边缘分布,分别测试3英寸;4英寸;5英寸;6英寸;8英寸; 12英寸样片。 5.2 小孔里有限位栓,可根据测试不同的样片来调整限位栓的位置。具体如下图所示: 样片位置确定后,点击测试画面左上角的“AUTOSET”,自动进入测试状态,几秒钟后屏幕上方显示测试结果即载流子寿命和衰减曲线。如下图所示: 把测试结果记录在《单晶寿命测试台帐Ⅱ》里。 测试完毕后同电脑一样关闭测试设备。 9)异常处理 测试结果出现为“NA”时请向上长反映。 10)安全事项 腐蚀时注意安全,防止酸溅到身上。 使用电源电压220V,避免触电危险。 11)记录表格 单晶寿命检测台帐Ⅱ。(见附录1) 附录1 单晶寿命检测台帐Ⅱ S/QRIN座机电话号码 样片编号 寿命值 测试时间 测试员 备 注 单晶寿命测定规程Ⅱ 上海申和热磁电子有限公司 受控状态 实施日期 2006年3月1日 适用 硅材料事业一部 受控 实施责任者 品质课 注:本文件的更改,应由建议者提出申请,经批准后方可变更。 作成 审核 批准 承认 变更内容: 汪金柱 李九州 冯文丽 文件编号 版/次 总3页 S/QW52IN82401-14 A/1 第3页 文件编写基本规定 上海申和热磁电子有限公司 受控状态 实施日期 2002年09月10 日 适用 质量、环境类文件 受控 实施责任者 管理者代表 注:本文件的更改,应由建议者提出申请,经批准后方可变更。 作成 审核 批准 承认 变更内容: 何锋 文件编号 版/次 总1页 S/QW座机电话号码1-02 A/0 第1页 中心测试点 (测试头所在位置) 限位栓 测12英寸 测8英寸 测6英寸 测5英寸 测4英寸 测3英寸

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