气敏材料传感器解析.ppt

7.非电阻型半导体气敏传感器 7.1金属半导体接触 半导体中电子面对的势垒 势垒区为高阻区（电子阻挡层），称此势垒为肖特基势垒。 正偏---消弱内建场，势垒降低； 反偏---增强内建场，势垒升高。 肖特基接触 欧姆接触 半导体表面为电子积累，高电导区，为电子反阻挡层，电子的运动无需越过势垒。 定义：使源端半导体表面达到强反型的栅压。 7.1金属氧化物半导体接触 7.非电阻型半导体气敏传感器 阈值电压： Pd-TiO2二极管电流电压特性 二极管整流特性与气体浓度相关。 吸附氧时，使Pd的功函数变大，Pd-TiO2界面的肖特基势垒增高，正向电流较小。遇到氢气时，势垒降低，引起正向电流变大。 7.2 二极管式气敏器件 Pd-TiO2二极管氢敏器件 7.非电阻型半导体气敏传感器 由于钯对氢气(H2)特别敏感，当钯吸附了H2以后，会使钯的功函数降低，导致MOS管的C-V特性向负偏压方向平移。根据这一特性就可用于测定H2的浓度。 7.3MOS二极管气敏器件 利用MOS二极管电容-电压特性随被测气体浓度变化的特性对气体进行检测。 等效电路 7.非电阻型半导体气敏传感器 C-V特性 a b 结构 7.4 MOS场效应晶体管气敏器件 增强型MOSFET结构 增强型MOSFET的栅源电压与源漏电流关系 7.非电阻型半导体气敏传感器 利用MOSFET的阈值电压VT对栅极材料表面吸附气体非常敏感特性对气体检测。当栅极吸附气体后，栅极与半导体的功函数差和表面状态都会发生变化， VT随之变化。 氢原子扩散到Pd-SiO2界面，在Pd一侧产生极化形成偶极层，使钯的功函数减小，使阈值电压减小。Pd,Pt有催化作用，促进氢原子扩散。 Pd栅 多孔结构 Pt栅场效应晶体管对氢气的响应 式子中： K为氢分子离解的平衡数，p(H2)环境中氢气分压。 在150℃下恒温工作，有利于对氢气的响应速度和恢复速度。 7.非电阻型半导体气敏传感器 7.4MOS场效应晶体管气敏器件 半导体气敏传感器的各种检测对象气体 8.气体传感器的应用 A 简易家用气体报警 B有害气体鉴别、报警与控制 用于家庭对煤气、一氧化碳、液化石油气等泄漏实现监测报警。 D矿灯瓦斯报警器 C可燃性气体浓度检测 8.气体传感器的应用 E 烟雾报警器 F 酒精检测报警器 8.气体传感器的应用 9.基于MEMS技术的气体微传感器 SnO2-NiO 甲醛传感器的SEM照片 以半导体硅单晶为基体，采用集成电路工艺和催化金属膜制成。主要用于检测氢气、含氢化合物和一氧化碳等气体，商品化不及电导型，工艺先进，有较好前景; A 电导控制型： 本章总结 一般金属氧化物半导体材料为基体，加入合适的催化金属和添加剂，采用烧结、厚膜或薄膜工艺制成，主要用于可燃性气体的监测和报警，已有40多年的历史，已经广泛用于环境保护、化学、采矿等，但是选择性和稳定性方面还存在问题； B 电压控制型： C 新发展的超微粒集成气敏传感器。 沈 阳 工 业 大 学 气 敏 传 感 器 课程主要内容 1.气敏传感器应用示例 2.气敏传感器的分类 3.气敏传感器的主要参数及特性 4.金属氧化物的半导体化 5.表面电阻控制型气体敏感元件 6.体电阻控制型气体敏感元件 7.非电阻型气体敏感元件 8.基于MEMS技术的气体微传感器 1.气体传感器应用示例 汽车尾气分析 酒精检测 一氧化碳传感器 可燃性气体传感器外形 2.气敏传感器的分类 气 敏 传 感 器 表面控制型 容积控制型 燃烧热 表面电位 整流特性 阈值电压 电阻型 非电阻型 浓差电极 合成电位 恒电位电解池 氧电极 半导体式 电化学式 接触燃烧式 固体电解质式 半导体气敏元件的分类 电导控制型，以金属氧化物为主。 电压控制型，以硅为主 2.气敏传感器的分类 3.气敏传感器的主要参数及特性 (a)灵敏度： 对气体的敏感程度； (b)响应时间 ： 对被测气体浓度的响应速度; (c)选择性： 指在多种气体共存的条件下，气敏元件区分气体种类的能力; (d)稳定性： 当被测气体浓度不变时，若其他条件发生改变，在规定的时间内气敏元件输出特性保持不变的能力; (e)温度特性： 气敏元件灵敏度随温度变化而变化的特性; (f)湿度特性： 气敏元件灵敏度随环境湿度变化而变化的特性； (g)电源电压特性： 指气敏元件灵敏度随电源电压变化而变化的特性 ; (h)时效性与互换性： 反映元件气敏特性稳定程度的时间，就是时效性；同一型号元件之间气敏特性的一致性，反映了其互换性。 实际应用对气敏传感器的要求: 3.气敏传感器的主要参数及特性 (a)具有良好的选择性； (b)具有较高的灵敏