非平衡载流子的扩散运动解析.pptVIP

5.5 非平衡载流子的扩散（Diffusion）运动 （1）扩散运动与扩散电流（diffusion current） 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的空穴数） Dn---电子扩散系数（ electron diffusion coefficients） ---单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 扩散定律 ----在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数 稳态时，积累=损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 若样品足够厚 若样品厚为W（W ∞) 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n(W)=0 ?n(0)= (? n)0 得 当WLn时， 相应的 Sn=常数 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 在光照和外场同时存在的情况下: （2）总电流密度 （3） Einstein Relationship（爱因斯坦关系） 平衡条件下： 最后得 同理 5.6 连续性方程 指扩散和漂移运动同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程 以一维n型为例来讨论： 光照 ε 在外加条件下，载流子未达到稳态时，少子浓度不仅是x的函数，而且随时间t变化： *空穴积累率： 空穴的扩散和漂移流密度 空穴积累率 复合率 其它产生率 ------连续性方程 讨论（1）光照恒定 （2）材料掺杂