3-3双极型晶体管案例.ppt

弱场——集电区的电流密度大于集电区临界电流密度，但载 流子的漂移速度随电场的增加而增大 电场区便向衬底方向收缩而变窄使有效基区宽度增大。 电流增大 衬 底 有效基区宽度Wb增大；放大系数 和特征频率 都增加。 强场 ——电场分布不均匀，载流子的速度达到极限，不随 电场的增加而增大 。 集电区电场往衬底方向收缩而变窄 。 电流增大 基区横向扩展效应，电子流沿基区横向散开，相当于有效基区Wb增大 衬 底 3、基区的横向扩展效应 假定集电结有临界电流： 当 时，注入基区的电子流必将沿基区的横向（平行结的方向）展开。电子通过基区的路程加长了，相当基区宽度增加，放大系数和特征频率下降。 4、基区扩展效应对晶体管特性的影响 放大系数： 基区的渡越时间： 特征频率 发射极电流集边效应——基区电阻自偏压效应 大电流下工作 集中在发射结边缘部分 C 衬底 柱面状 基区宽度很窄 是由基区电阻引起 电流越大，发射极电流集边效应越显著。 3.6.3 发射极电流集边效应——原因3 1、发射极电流集边原理 2、发射结有效条宽 发射结电流集边效应的结果是减少了发射结的有效面 积；使得 集电区电流密度就达到临界值，使放大系数和特征频率下降。为了克服该现象，关键在于减小发射结下面基区的电阻，即减小发射结的条宽。 基极电流是平行于结面横向流动的多数载流子复合电流，基极电流流过基极电阻时产生横向压降，将使发射结的电流密度和基区电流密度分布不均匀。 发射结的有效条宽：规定从发射结中心到边缘，基区的横向压降变化为 ，并用 表示， 为简化求解的过程，将基区电流密度近似为线性分布 E B B C 发射结中心 Seff 有效半条宽 对应方程为： 即可得： 在基区 截面内的基极电流为： 将上式进行积分，可得到基区中 处基极电流为： 基极电流 在 距离上产生的电压降为： 由此可得： 通常为充分利用发射结的面积，尽量选择较小的条宽，但条宽也不能太小，以免造成工艺难度加大。 发射极有效条宽为： 3、发射极单位周长上的电流容量 由于集边效应，管子的电流容量不再与发射结面积成正比，而基本上与发射结的边缘周长成正比，周长越长，允许通过发射极的电流也越大，集电极最大电流 ICM 也越大。 改善大电流特性的主要措施是提高发射极单位周长电流容量和采用最佳图形设计，以增加发射极的有效周长。 3.6.4 集电结最大耗散功率和晶体管的热阻——原因4 集电结最大平均耗散功率PCM———正常安全地工作功率。 集电结加有很大的反向偏压，结电阻Rj就非常大（高达106欧以上）。当有电流流过时，集电结将产生热量。如果集电极电流过大，则结温过高会使管参数变化甚至被烧毁。 QC = IC2 Rj t 集电结耗散功率(Power dissipation) 1、集电结最大耗散功率 最大集电结耗散功率曲线 安全区 不安全区 超过最大耗散功率值时，晶体管不一定立即损坏，但寿命将会缩短 。 2、最大耗散功率与那些因素有关 根据热传导的基本原理：当管芯上每秒钟因消耗功率而发生的热量与散发的热量相等的时候，管芯的温度就达到稳定值。 提高特征频率 fT 的途径: 1、减小基区宽度，并采用扩散基区，其中减小基区宽度是关键。 2、尽量减小发射结面积。缩小发射结面积对于减小发射结电容、缩短发射结 电容延迟时间是很重要的，所以高频晶体管的尺寸应尽量小。 3、基区扩散的薄层电阻大些，即基区杂质浓度稍低些。 4、减小集电结面积，适当降低集电区电阻率。 对特征频率来说，每种晶体管都有一个最佳工作点 基区有效宽度变大 基区有效宽度减小 3.5.4 晶体管的噪声 1、噪声(Noise) ——杂乱的、无规则的电压或电流的波动; 放大 输入 IB = 0 噪声来源： 外界引入； 自己产生。 噪声干扰影响不严重 被噪声淹没 信号幅度相对较大 多级放大电路第一级管的噪声性能，决定整机的灵敏度！ 2、噪声系数 NF ——标志晶体管的噪声特性 噪声的大小是相对信号而言的。 衡量噪声的大小： 在输入信噪比相同的情况下，输出端信噪比越大，管的噪声特性越好。 在实际的工作中，噪声系数常采用分贝（dB）为单位 值越大，说明管的噪声特性越差。 管子本身产生的噪声为零时，只存