3半导体受控器件的(56-2011.10)案例.ppt

线性电子电路 第三章 半导体受控器件分析 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 3.2 非线性受控电流器件的求解分析 3.2.2 晶体管微变等效电路 晶体管微变等效电路 混合Π型电路模型的引出 3.2.3 场效应管微变等效电路 3.2.4 非线性受控元器件分析方法 3.3 直流工作点分析 3.3 直流工作点分析 单电源供电方案 3.3.2 工作点的稳定性 实际典型电路 * * 文凤 书山有路勤为径 学海无崖苦作舟 3.4 应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取 3.2 非线性受控器件的求解分析与应用 3.1 非线性半导体元器件的分析概述 回顾第一章分析 具体方法 大范围锁定工作点 3.3 直流工作点分析 1. 明确非线性元器件工作区域 2. 明确非线性元器件是否需要工作点平台 二极管上电压在大范围的内确定 二极管上电压大范围变化 二极管上电压在导通的较小区域内变化 工作点平台 要点：输出高低电位，属于非线性大范围应用。 具体步骤：分别以两种输入电平出发来分析。 3.2.1 晶体管非门基础电路 对(a)：因vi=0→VB 0 →发射结反偏，集电结反偏。---管子截止， 输出高电位。 对(b) ：因vi=5V→VB VBE(on)管子导通（放大、饱和或击穿） --