3-3双极型晶体管总结.ppt

弱场——集电区的电流密度大于集电区临界电流密度，但载 流子的漂移速度随电场的增加而增大 电场区便向衬底方向收缩而变窄使有效基区宽度增大。 电流增大 衬 底 有效基区宽度Wb增大；放大系数 和特征频率 都增加。 强场 ——电场分布不均匀，载流子的速度达到极限，不随 电场的增加而增大 。 集电区电场往衬底方向收缩而变窄 。 电流增大 基区横向扩展效应，电子流沿基区横向散开，相当于有效基区Wb增大 衬 底 3、基区的横向扩展效应 假定集电结有临界电流： 当 时，注入基区的电子流必将沿基区的横向（平行结的方向）展开。电子通过基区的路程加长了，相当基区宽度增加，放大系数和特征频率下降。 4、基区扩展效应对晶体管特性的影响 放大系数： 基区的渡越时间： 特征频率 发射极电流集边效应——基区电阻自偏压效应 大电流下工作 集中在发射结边缘部分 C 衬底 柱面状 基区宽度很窄 是由基区电阻引起 电流越大，发射极电流集边效应越显著。 3.6.3 发射极电流集边效应——原因3 1、发射极电流集边原理 2、发射结有效条宽 发射结电流集边效应的结果是减少了发射结的有效面 积；使得 集电区电流密度就达到