热氧化法制备SiO2薄膜.docVIP

东南大学材料科学与工程 实验报告 学生姓名 徐佳乐 班级学号 1座机电话号码 实验日期 2014/9/4 批改教师 课程名称 电子信息材料大型实验 热氧化法制备SiO2薄膜 报告成绩 实验目的 制备O2薄膜基本 了解热氧化法制备SiO2薄膜基本原理。 原理 中，O2薄膜CVD或者LPCV，但热氧化法制备的O2薄膜结构致密、均匀性和重复性好、电特性最佳光刻胶粘附性好等优点，是制备半导体器件关键部分的高质量O2薄膜常用方法，如MOSFET的栅介电氧化层的制备。热氧化工艺的示意图其基本原理是从一端炉口通入加热炉内，在-1200℃的高温下，氧化剂分子向内扩散并与硅晶片表面发生化学反应，生成O2薄膜氧化剂O2（干氧氧化H2O（湿氧氧化），在相同的氧化温度下，湿氧氧化的远大于干氧氧化 氧化物的生长主要有两个过程，一个是氧化剂经由氧化层向硅表面扩散的过程，一个是氧化剂与Si表面的化学反应过程在O2的生长初期，限制生长速率的主要因素，生长的O2薄膜厚度下式确定 X B/A t+τ 此时SiO2薄膜与时间呈线性关系。B/A线性氧化速率常数，其主要由表面反应的化学速率确定。t热氧化时间τ为一常数。当O2厚度变厚，氧化剂必须扩散至Si和O2的界面才可反应，故其厚度受限于扩散速度，O2的厚度与时间关系由所示： 2 B t+τ SiO2厚度与生长时间呈抛物线关系B为抛物线型氧化速率常数，仅氧化剂在O2中的扩散系数有关不管是还是氧化剂在O2的扩散系数均与温度，因此线性氧化速率常数B/A和抛物线型氧化速率常数B均随升高指数增长。上面分析也表明，氧化过程中，硅二氧化硅的界面会向硅内部迁移，这将使得Si表面的污染物表面一个崭新的界面。材料 ：OTF1200，机械泵，塑料烧杯，塑料镊子等：，HF，去离子水，的硅片。及 1.去除Si晶片表面的自然氧化层。按比例配制HF，将清洗过的晶片浸入腐蚀液内约后，立即取出，用去离子水冲洗晶片表面后，吹干表面。设置温度处理参数。在OTF1200的控制器上设置升温时间（≤10℃），热处理温度），热处理时间（）片放入刚玉舟，放入管式炉中心位置，安装好炉管两侧的连接法兰，打开氧气钢瓶，保证整个实验过程中氧气以一定流量在炉管内流动。启动，开始热氧化生长O2薄膜后，关闭管式炉加热电源，待炉温冷却到以下后，取出舟观察生长的O2薄膜与附表对比，粗略估计出所生长O2薄膜厚度。所制备O2薄膜以备以后实验室用。 及分析 完成后没有看，所以得到其表面清洁状况颜色和估计的厚度。 1．从热氧化法生长SiO2薄膜基本原理，为什么的O2薄膜的电学性能：热氧化法制备的O2薄膜结构致密、均匀性和重复性好 2．为了制备约几个nm的O2薄膜可以通过改变参数达到？ ：改变热处理的和时间温度增加升温速率，减少时间，的流动速度 东南大学材料科学与工程实验报告 共 页，第 页