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* * * * 2.3.4 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续2） G C E V g V R R d r R br T 2 T 1 I C A B R g 什么是擎住效应： 集电极电流iC过大； 集电极电压过高； 关断速度过快； Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。 产生擎住效应的原因： * 绝缘门极双极型晶体管IGBT主要特点 电压控制开通和关断，控制功率小； 双极性导电，开关速度介于MOSFET和BJT之间； 电压电流耐量介于BJT和GTO之间； 无二次击穿现象，有擎住效应； 最近十年IGBT已得到广泛应用，3.3KV-4.5KV/1200-1800A的器件已开始实用。 * 2.3.4 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续3） *2.3.5 MOS控制晶闸管MCT 晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT（图2.19） 开通P沟道的MOS管使MCT导通 开通N沟道的MOS管使MCT关断 * *2.3.6 集成门极换流晶闸管IGCT IGCT就是把GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再将其门极驱动器在外围以低电感方式连接成环状的门电极。 优点：电流大、电压高，开关频率比较高 （比GTO大10倍），驱动功率小。 IGCT广泛应用於大功率电气传动，电力系统有源滤波，补偿及直流输电等电力变换系统中。 * *2.3.7 静电感应晶体管 ：N沟道变宽，等效电阻小，SIT开通 ：N沟道夹断，等效电阻大，SIT关断 特点：开关速度很快，可在100~500kHz的高频开关状态下工作 SIT是一种结型场效应晶体管，控制GS之间的电压可以改变电流通道（图中N沟道）的宽窄，从而控制SIT的通断。 * 静电感应晶闸管 SIT 静电感应晶闸管SITH SITH也称场控晶闸管，通断机理与SIT类似,符号见图2.20（b) 在SIT结构基础上增加一个PN结，在内部多形成一个三极管，两个三极管构成一个晶闸管，而成为静电感应晶闸管SITH。 ：SITH导通 ：SITH关断 优点：功率大，开关频率高，可用于高频（100~500kHz） 的大功率变换器中。 * *2.3.7 静电感应晶体管（续） 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路 把同类或不同类的一个或多个开关器件按一定的拓扑结构连接并封装在一起的开关器件组合体称为电力开关模块。 二极管和晶闸管模块； 达林顿三极管功率模块； MOSFET功率模块； IGBT模块（AC-DC-AC变频功率模块）； 功率集成电路PIC； * 二极管和晶闸管模块 图2.21二极管和晶闸管模块 * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续1） 达林顿三极管功率模块 达林顿三极管功率模块 * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续2） MOSFET功率模块 * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续3） AC-DC-AC变频功率模块 * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续4） 功率集成电路PIC（Power Integrated Circuit） 如果将电力电子开关器件与电力电子变换器控制系统中的某些信息电子电路环节（如工作状态和运行参数的检测、驱动信号的生成和处理，缓冲、故障保护和自诊断等）制作在一个整体芯片上，则称为功率集成电路PIC（Power Integrated Circuit） 不同的功率集成电路PIC由于其侧重的性能、要求不同，有的被称为 高压集成电路HVIC(High Voltage IC) 智能功率集成电路SPIC（Smart Power IC） 智能功率模块IPM（Intelligent Power Module） * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续5） 功率集成电路PIC（续）（Power Integrated Circuit） 在功率集成电路PIC中，高、低压电路（主回路与控制电路）之间的绝缘或隔离问题以及开关器件模块的温升、散热问题一直是PIC发展的技术难点。 现在将IGBT及其辅助器件，驱动、保护电路集成在一起的智能IGBT已在小功率电力电子变换器中得到较多的应用。 较大功率的智能功率模块也已开始应用于高速列车牵引的电力传动系统的电力变换器。 功率集成电路PIC,实现了电能变换和信息处理的集成化，它与高频化、数字化一样是未来电力电子变换和控制技术的发展方向。 * 2.4 半导体电力开关模块和功率集成电路（续6） 小 结 根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类： 不可控器件：仅二极管D是不可控开关器件。 半控器件：仅普通晶闸管SCR属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦SCR导通后，SCR仍继续处于通