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应用指南 AN-3001光耦合器输入驱动电路光耦合器由一个光源和一个光敏检测器组成。在光耦合 器或光子耦合对中，耦合依靠一个透明绝缘间隙一侧产 生、另一侧检测到的光实现，两侧之间不存在电气连接 （少量耦合电容除外）。在飞兆半导体光耦合器中，光 是由红外发光二极管产生的，光检测器是一个驱动放大 器（如晶体管）的硅二极管。硅材料的灵敏度在 LED 发射的波长处达到最大值，提供最大信号耦合。由于光耦合器的输入是一个 LED，其输入特性都相同， 与所采用的检测器类型无关。图 1 显示 LED 二极管的 特性。正向偏置电流阀值出现在约 1 伏特处，电流成指 数增加， IF 的可用范围介于 1 mA 与 100 mA 之间，对 应 VF 的范围介于 1.2 与 1.3 伏特之间。正向偏置电阻的 动态值与电流相关，如图中定义的 RDF 和 DR 插图所 示。在雪崩击穿前，反向漏电流处于毫微安范围内。图 2 显示 LED 等效电路以及各组件的典型值。若需要 电脑制模，可参考提供的二极管方程式，此外还提供了 IR LED 的方程式常数。注意，结电容非常大，并随应用的正向电压的增大而增大。图 3 绘制出该电容随应用 电压的实际变化图。该大电容被驱动电阻控制，从而影 响 LED 的脉冲响应。在结电流导致发光前，必须对电 容进行充电。这种效应会在快速脉冲条件下，在应用电 流和发光之间产生 10-20 毫微秒或更长的固有延迟。LED 适用于正向偏置模式。由于电流在超过阀值后增速非常快，器件应始终在电流模式（而非电压模式）下驱 动。实现电流驱动最简单的方式是提供一个串联限流电阻，如图 4 所示。这样，VAPP 和 VF 之间的差值在目标 IF下通过电阻降低（根据其它标准确定）。硅二极管与LED 反向并联安装。该二极管用于防止 LED 反向击穿，这是实现这种保护功能最简单的方法。在反向雪崩 区域，必须防止 LED 过量耗散功率。少量反向电流不 会伤害 LED，但是必须防止意外的浪涌电流。LED 的正向电压有一个负温度系数 1.05 mV/°C，其变化如图 5 所示。IR LED 的亮度作为正向电流 (IF) 和时间的函数以指数形式缓慢降低。图 6 是根据 20,000 小时的实验数据绘制 的光衰图。 50% 的衰减量被认为是失效点。必须在光隔 离器电路设计之初考虑衰减量，从而在设备的整个设计 周期内允许降低，但仍符合电流传输比 (CTR) 的设计规 格。此外，还显示 IF 的驱动限制，用于延长器件的使用 寿命。在某些情况下，需要为 LED 采用一个高于二极管 VF1.1 V 标准电压的固定阀值。通过采用一个电阻对 LED 进行分流可实现这种阀值调整，电阻值由应用电压、串 联电阻和所需阀值之间的比例决定。图 7 电路显示这些 值之间的关系。计算将决定特定 IFT 和 VA 所需的电阻 值。将多个 LED 串联起来共享同一个 IF 也很合适。串 联 VF 为各个 VF 的总和。串联中还可以使用齐纳二极 管。由于输入应用电压是可逆或可交替的，且需要检测输入 的相位或极性，可采用双极输入电路，如图 8 所示。各 个光耦合器可以控制不同功能，或进行并联，从而不受 极性影响。注意，在此连接中，各个 LED 在反向偏置 中保护彼此。REV. 4.00 9/9/13AN-3001应用指南(VOLTS)R = 300Ω30Ω3Ω0.3ΩFORWARD BIASLED1.5RDF=IFRSEQUIVALENT1.4CIRCUITVOLTAGE1.313ΩIFVFRPCjD1.2mAVj120Ω100TA = 25?CSLOPEFORWARD1.11KΩ0.980= RDF= VD - IDEAL DIODE1.010KΩI-60VF-50---VSLOPEF0.8V1.010100V0.140=R =IF--110100mAIF - FORWARD CURRENT (mA)ICj55100300500-pFAVALANCHE20Vj1.0V201816141210864200.51.01.5VR0.01IR100---nARANGE OFVF VOLTSRS∞3030.3Ω0.1BVRTHRESHOLDRP109----ΩREVERSE BIAS1.010IF = IFT exp VF- VFTk100VF = VFT + k log IFNOTE CHANGE OF SCALESmAIFTIRFor IRLED (940nm)图 1.IR LED 的特性VFTH = 0.98VIFTH = 0.10mAK = 0.3600.03VRS =IF (A)图 2. 等效电路方程式JUNCTION CAPACITANCE (Cj) - pFNOTE SCALE CHANGEVF35