第四章：离子注入重点分析.ppt

阈值电压调整注入 NMOS阈值电压公式： QBm＝q·NB·Xdm， QBm为表面耗尽层单位面积上的电荷密度 轻掺杂漏（LDD：Lightly Doped Drain ）注入 源漏注入 多晶硅栅掺杂注入 沟槽电容器注入 超浅结注入 超浅结 绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入 在硅中进行高能量氧离子注入，经高温处理后形成SOI结构（silicon on insulator） SOI结构SEM照片 4.5 离子注入设备 离子注入机主要由以下5个部分组成 1. 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 3. 加速管 4. 扫描系统 5. 工艺室 离子注入系统 1. 离子源 离子源用于产生 大量的注入正离 子的部件，常用 的杂质源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 吸极用于把离子从离子源室中引出。 质量分析器磁铁 分析器磁铁形成90°角，其磁场使离子的轨迹偏转成弧形。不同的离子具有不同的质量与电荷（如BF3→ B＋、BF2＋等），因而在离子分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质离子。 分析磁体 3. 加速管 加速管用来加速正离子以获得更高的速度（即