第七章：沉积简析.pptVIP

LPCVD工艺 LPCVD SiO2：掺杂和不掺杂的主要用做ILD、浅槽介质填充和侧墙等。 1）用SiH4沉积SiO2： SiH4＋O2 →SiO2＋H2 温度：450℃ 压力：0.1～5.0Torr 缺点：台阶覆盖能力和间隙填充能力都差。 2）用TEOS热分解沉积SiO2： Si（C2H5O4） → SiO2 ＋ H2O ＋ CO2 温度： 650℃～750℃ 压力： 0.1～5.0Torr 沉积速率：10～15nm/分（远远小于APCVD） 优点：台阶覆盖能力和间隙填充能力都好。 LPCVD的优点：膜致密，颗粒少。 LPCVD的缺点：沉积速率慢。 APCVD SiO2和 LPCVD SiO2的比较 工 艺 优 点 缺 点 APCVD SiO2 （用TEOS） 沉积速率高 台阶覆盖和间隙填充较好 沉积温度低 表面颗粒多 用气量大成本高 薄膜应力大 LPCVD SiO2 （用TEOS） 台阶覆盖和间隙填充很好 膜致密均匀性好 设备成本低 沉积速率低 沉积温度偏高 LPCVD Si3N4 LPCVD Si3N4的用途： 1. 在局部氧化（LOCOS）中，做氧化阻挡层 2. 做硬掩膜用于浅槽隔离 3. 用做电容介质 工艺：