第五章2MOSFET重点分析.ppt

IT 数字技术 数字电路 信息社会 CMOS电路 CMOS CMOS由一对NMOS FET和PMOS FET构成。 PMOS沟道的设计宽度为NMOS沟道的2倍。 PMOS和NMOS栅极相连接，加相同的输入电压。 当栅极电压“低”时，PMOS打开，NMOS关闭，漏极电压为“高”；当输入电压“高”时，NMOS打开，PMOS关闭，输出电压为“低”。 CMOS的优势在哪里？ 以反相器为例！ NPN双极型晶体管的反相器电路 输出及电路功耗 NMOSFET 的反相器电路 输出及电路功耗 CMOS的反相器电路 PMOS NMOS S S G G D D B B CMOS反相器输出曲线 CMOS反相器输出曲线 CMOS反相器瞬态功耗 CMOS没有贯穿电流，有效降低功率消耗！ CMOS的优势就是低功耗！ N-well CMOS 工艺 为什么是N-well（N阱）？ 光刻工艺 热氧化生成SiO2； 第一次光刻：打开N阱离子注入窗口； 进行N阱的离子注入与二次扩散； 刻蚀氧化物； 1 热氧化生成SiO2缓冲层； CVD淀积Si3N4； 第二次光刻：定义有效沟道区域； 氮化硅刻蚀； 氧化层刻蚀； 2 热氧化生成场氧； 氮化硅刻蚀； 缓冲层刻蚀； 清洗表面； 阈值电压调整的离子注入； 栅氧生长； 3 CVD淀积N+多晶硅栅； 第三次光刻：形成多晶硅图形，定义栅极； 4 第四次光刻：打开N+区的离子注