第五章5TFT及其制造技术重点分析.ppt

3. 敏感元件，如： 气敏、光敏、PH值测定 N2O气体环境 N2O Gas Sensors原理图 溶液PH值测定原理图 Phototransistor结构图 薄膜晶体管（TFT） 主要内容 （1）TFT的发展历程 （2）TFT的种类、结构及工作原理 （3）p-si TFT的电特性 （4）p-si TFT的制备技术 （5）TFT的应用前景 TFT的发展历程 （1）1934年第一个TFT的发明专利问世-----设想. （2）TFT的真正开始----1962年，由Weimer第一次实现. 特点：器件采用顶栅结构，半导体活性层为CdSe薄膜.栅介质层为SiO,除栅介质层外都采用蒸镀技术. 器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率150 cm2/vs,最大振荡频率为20 MHz. CdSe----迁移率达200 cm2/vs TFT与MOSFET的发明同步，然而TFT发展速度及应用远不及MOSFET?! TFT的发展历程 （3）1962年，第一个MOSFET实验室实现. （4）1973年，实现第一个CdSe　TFT-LCD(6*6)显示屏.-----TFT的迁移率20 cm2/vs,Ioff=100 nA.之后几年下降到1 nA. （5）1975年，实现了基于非晶硅-TFT.随后实现驱动LCD显示. ----迁移率＜1 cm2/vs,但空气（H2O,O2)中相对稳定.