50kV_1ns前沿高压脉冲源的研制_孙蓓云.docxVIP

　第 27 卷 第 2 期核电子学与探测技术V ol. 27 N o. 2 　 2007 年 3 月Nuclear Electronics Detection Technolo gyM a rch 2007　　50kV ,1ns 前沿高压脉冲源的研制孙蓓云 ,谢彦召 ,相 辉 ,李 斌 ,聂 鑫 ,陈向跃 ,郭小强(西北核技术研究所, 西安 710024)　　摘要:介绍了 50kV , 1ns 前沿高压脉冲源的工作原理及设计部件的研制, 给出了脉冲高压源的输出 波形, 该高压脉冲源与有界波电磁脉冲模拟器辐照天线相接, 可在其工作空间内产生前沿为 1. 2ns, 脉宽 为 50ns 的电磁环境, 用于电子系统的电磁脉冲效应研究。关键词:电磁脉冲;快前沿;高压脉冲源 T M 836中图分类号: T N78　　文献标识码: A 　　文章编号: 0258-0934(2007)02-0280-03　　高空核爆电磁脉冲(H EM P)对电子系统 具有严重的破坏作用, 对于它的效应研究一般 利用各种类型的电磁脉冲模拟器在模拟的电磁 环境中进行。高压脉冲源是模拟器的关键组成 部分之一, 其技术指标直接影响模拟环境的技 术指标。近年来, H EM P 的环境标准不断变化 , 其 趋势是前沿变快 , 脉宽减小。1996 年颁布的IEC61000-2-9 标准[ 1] 中 , HEM P 的环境参数为 前沿 2. 5ns , 脉冲半宽度 23ns 的双指数波。 H EMP 标准的变化 ,对于电子系统的损伤效应 到底会带来什么样的影响, 是今后开展抗 H EMP 研究的重要课题 。这就对 H EM P 模拟 环境提出了新的要求。为了适应抗 H EM P 研 究的需要 ,研制了一台快前沿高压脉冲源,与有 界波电磁脉冲模拟器相配套 ,建立起和 IEC 新 标准相近的模拟电磁环境 ,为开展电子系统的 抗H EM P 效应研究提供基础设备和技术支持。1 快前沿高压脉冲源的基本原理简介由于 H EMP 的是双指数波形 ,电磁脉冲模 拟器的高压脉冲源一般采用 RC 放电形成 , 如 果初级储能电路固有电感大, 通常难以达到所收稿日期:2006-01-07作者简介:孙蓓云(1966 -), 女, 陕西西安人, 高级工 程师, 硕士, 主要从事电磁脉冲技术方面的研究工作需的脉冲前沿,在这种情况下要采用峰化措施。 峰化电路主要由峰化电容器和输出开关组成 , 其电路原理图如图 1 所示。图中 Cm 为初级储 能电容 ,L m 为储能电路的串联电感, Rm 为储能 电路的串联电阻, R p 为储能电路的并联电阻 ; Cp 为峰化电容器 ;Lf 为主开关 、峰化电容器 、引 线电感之和 ,Rf 为负载电阻, ;K 为开关。图 1 有峰化电路脉冲高压源的等效电路在 CC, C=L/R的条件下 , 主开关mPpmf2K 在峰化电容器上的充电电流达到最大时刻导 通时,模拟器负载上可获得一双指数脉冲波,如 不计输出开关的影响 ,其脉冲前沿由第二个回 路的电感 L f 决定 :tr ≈2. 2(Lf /Rf)　　详细的理论公式推导可参见文献[ 2-3] 。 从公式可知 ,要使高压脉冲源的前沿快,就必需 使峰化回路的电感 Lf 小。2 高压脉冲源的参数设计及 PSPICE 模 拟结果　　为了在 150Ψ的负载上获得 50ns 半宽的 输出波形 ,选择储能电容器的电容量为 480pF ,280电容器设计成同轴结构 ;初级储能电容器的电 容量是峰化电容器的电容量的 5 倍以上就可以 满足电路要求, 选取峰化电容器的电容量为 64pF ,峰化电容器由 20cm 长的同轴油线组成 , 其电感量为 16nH ;为了满足 Cp =L m / Rf2 的条 件下 ,设计 1. 33μH 的电感, 使储能回路中的电 感量为 1. 44μH 。所研制的高压脉冲源的参数 如图 2 所示。峰化电容上的充电振荡同期约为56. 5ns , 当输出开关在 7. 1 、14. 2ns 导通时 ,PSPICE 模拟结果如图 3 所示 。图 2 高压脉冲源的参数图 3 模拟的输出结果从模拟的计算结果可知, 当输出开关在峰 化电容器的充电电流达到最大值导通时, 负载 电阻上的输出波形为双指数波, 其前沿由峰化 电路的电感量决定。当输出开关在峰化电容器 的充电电流未达到最大值导通时, 波形的前沿 缓慢 ,当输出开关在峰化电容器的充电电流过 了最大值导通时 ,波形出现振荡。从模拟的结果看 ,高压脉冲源的参数设计 是合理的。3 高压脉冲源的输出波形高压脉冲源的结构如图 4 所示, 采用电容 分压器对输出波形进行监测。图 5 为输出开关 在峰化电容器的充电电流达到最大时导通的实 测波形, 图 6 为输出开关在峰化电容器的充