201110028768.6用于电光调制器的波导电容器.docxVIP

说明书摘要一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中，其中所述加载后的波导仍保持脊波导的形状，形成封盖式波导电容；所述绝缘层上直接加载半导体材料；所述脊波导的波导脊上刻蚀有纵向槽或周期性分布的横向槽结构，所述纵向槽使波导脊形成双脊结构，所述横向槽的间隔周期略短于光波长的二分之一。本发明与现有技术相比，脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构，提高了单位波导导模模斑横截面所携带的电容值，同时，波导导模的有效模斑尺寸比现有的波导电容小，对光的限制因子大，有利于提高调制器的效率。-1-摘要附图-1-权利要求书一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的波导脊上 刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导体材料和脊波 导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中，其特征在 于：所述绝缘层上直接加载半导体材料；所述加载后的波导仍保持脊波导 的形状，形成封盖式波导电容；所述脊波导的波导脊上刻蚀纵向槽形成一 个双脊结构。根据权利要求 1 所述的用于电光调制器的波导电容器，其特征在于：所述 半导体材料为三五族化合物。根据权利要求 1 所述的用于电光调制器的波导电容器，其特征在于：所述 加载的半导体材料沿波导纵向形状宽度呈周期性变化。一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的波导脊上 刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导体材料和脊波 导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中，其特征在 于：所述绝缘层上直接加载半导体材料；所述加载后的波导仍保持脊波导 的形状，形成封盖式波导电容；所述脊波导的波导脊上沿波导纵向周期性 的刻有横向槽，其间隔周期略短于光波长的二分之一；所述横向槽从边到 边贯通或不贯通。根据权利要求 4 所述的用于电光调制器的波导电容器，其特征在于：所述 半导体材料为三五族化合物。根据权利要求 4 所述的用于电光调制器的波导电容器，其特征在于：所述 加载的半导体材料沿波导纵向形状宽度呈周期性变化。-1-说明书用于电光调制器的波导电容器技术领域本发明涉及一种集成光电子器件，特别是一种光波导器件。背景技术基于硅的电光调制器利用自由载流子色散效应来调制光波相位移。在这些器件中，电光调制的物理媒体是一个光波导和电容器的复合体，在这个复合体中，电容器所存储的电荷量的改变将改变光波在波导中传播时所积累的相位移。这个复合体我们这里称为波导电容。无论是金属-氧化物-半导体MOS电容还是其他已被使用的波导电容，其调制效率都不高，主要体现在电容器中，电荷调制的区域在整个光波导的截面积内所占比例小，同时光波导的截面积大。图 1 是现有技术 MOS 波导电容的示意图。图中：波导下覆盖层 1，为原 SOI 圆晶片中的埋入二氧化硅，其上为硅脊波导平板区 2、波导脊 5，脊波导平板区 2 和波导脊 5 上部是绝缘层 3，绝缘层 3 上加载半导体 4。通过绝缘层 3，所加载半导体 4 和波导脊 5 之间形成电容。同时，所加载半导体 4 和原脊波导一起形成新的波导。图 1 所示的波导电容器，电荷调制的区域只是绝缘层上下十几个纳米的范围，而波导的模斑横截面积大于一个微米。光波导截面积大，波导电容电荷调制的区域在整个光波导的截面积内所占比例小，这使-1-调制器效率低。发明内容本发明的目的是提供一种用于电光调制器的波导电容器，要解决 的技术问题是提高基于互补金属氧化物半导体 CMOS 的电光调制器的 效率。本发明采用以下技术方案： 一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导 体材料和脊波导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀 的槽中。其中，所述绝缘层上直接加载半导体材料，所述加载后的波 导仍保持脊波导的形状，形成封盖式波导电容；所述脊波导的波导脊 上刻蚀纵向槽形成一个双脊结构。本发明公开的一种用于电光调制器的波导电容器，所述半导体材 料为三五族化合物。本发明公开的一种用于电光调制器的波导电容器，所述加载的半 导体材料沿波导纵向形状宽度呈周期性变化。一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的 波导脊上刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导 体材料和脊波导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀 的槽中；所述绝缘层上直接加载半导体材料。其中，所述加载后的波-2-导仍保持脊波导的形状，形成封盖式波导电容；所述脊波导的波导脊 上沿波导纵向周期性的刻有横向槽，其间隔周期略短于光波长的二分 之一；所述横向槽从边到边贯通或不贯通。本发明公开的一种用于电光调制器的波导电容器