第九章金属化工艺合编.pptVIP

* 第九章 金属化工艺 ——接触与互连 (1) 欧姆接触：具有线性和对称的V-I特性，且接触电阻很小； 一、基本概念 1、金属化 将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料（通常为金属） 的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。 为了将半导体器件与外部有效地联系起来，必须首先在 半导体和互连线之间制作接触。 2、金属/半导体的两种接触类型： (2) 肖特基接触：相当于理想的二极管； 金属的功函数 ——φm 电子亲和势 —— Xs ■ 肖特基势垒高度： φB=φm－Xs ■ 耗尽层宽度 金属化工艺要求形成低阻欧姆接触 二.形成欧姆接触的方法 ■ 低势垒欧姆接触 ■ 高复合欧姆接触 ■ 高掺杂欧姆接触 1、低势垒欧姆接触 ■ 如果金属的功函数φm小于n型半导体的功函数φs ， 或 金属的功函数φm大于p型半导体的功函数φs 。 —— 欧姆接触。 ■ 由于界面处存在表面态，使半导体表面产生一个耗尽 层，仍然有整流特性。 ■ 只要势垒高度低于0.3eV以下，可近似看作欧姆接触。 （铂与p型硅, 0.2eV） 说明 2、高复合欧姆接触 ■ 预先对半导体表面进行研磨或喷沙处理， 产生大量缺陷；或者掺入高复合中心杂 质，形成高复合欧姆接触。 3、高掺杂欧姆接触 ■ 在半导体表面形成高掺杂层，金—半接触时，可形