铝热还原氮化Al2O3法合成AlON粉体及其透明陶瓷制备和物性研究.doc

博 士 学 位 论 文 AlON粉体法合成及 作 者 齐 建 起 完成日期 2009 年 5 月 8 日 培 养 单 位四 川 大 学 指 导 教 师 卢铁城 教授 专 业 凝聚态物理 研 究 方 向 光电功能材料 授予学位日期 年 月 日 aluminothermic reduction and nitridation method and transparent ceramic preparation Jianqi Qi May, 2009 · Chengdu  AlON粉体法合成及研究 凝聚态物理专业 研究生 指导教师 卢铁城 教授 γ-AlON，以下简称AlON）是Al2O3-AlN体系单相、的固溶体是的优选材料采用传统高温烧结法可规模生产大尺寸产品制造成本较低 本文热还原氮化Al23法制备AlON粉体，自制AlON粉体的成型和烧结研究，陶瓷烧结过程样品的光学透过率、物相组成、致密度、微观形貌、力学性能(硬度、弯曲强度等)和氧化行为 采用热氮化还原Al2O3法微米级的Al粉和纳米级的Al2O3粉为原料原料粉体在N2气氛保护球磨24h，Al粉和Al2O3粉的配比。化学配比的原料不能合成单相AlON粉体，当原料中Al降至11.0wt%时，NH4Al(SO4)2·12H2O热解法自制粉体(粒径约30nm，粒度分布范围宽)，在N2气氛中，1800℃煅烧3小时单相AlON粉体，合成粉体的化学式为Al5O6N。℃)、中温阶段(660℃-1550℃)和高温阶段(1550℃-1800℃)，分别发生了Al粉受热熔化、Al粉氮化生成AlN以及Al2O3和AlN固溶合成AlON的过程。反应过程中首先生成AlN，然后再发生Al2O3和AlN的合成。AlON相的出现大致从1625℃(1893K)开始，并且从1650℃反应速度开始加快，在1800℃煅烧3小时AlON稳定区极窄， 市售的颗粒分布均匀的纳米Al2O3(平均粒径约为20nm)作为原料可使合成温度降低100℃左右。采用不同配比α和γ相α-Al2O3占总Al2O3的比例)为0，0.15和0.50时，1700℃下便可以得到单相AlON，反之单相粉体的合成温度要提高50℃。 自制Al2O3合成的AlON粉体球磨24h后粉体粒径大小在3～10μm的范围内，较少大颗粒形状不规则，占绝对数量的小颗粒的形状基本呈球形，且分散性较好。五种不同配比市售Al2O3粉体为原料合成的粉体颗粒的平均粒径均在5μm以下，且都具有比较好的分散性，且相比于自制纳米Al2O3粉体合成的AlON具有更小的粒径和更好的均匀性，且以纯γ-Al2O3为原料的粉体具有最好的性能。 AlON粉体合成的最优化工艺为：采用Al和Al2O3粉体以11.0wt%和89.0wt%进行配比，其中Al2O3为市售纯γ相，粉体的合成温度为1700℃，保温时间为3小时。 AlON透明陶瓷的烧结 以聚乙烯醇水溶液为粘接剂，采用干压成型+冷等静压致密化处理的方法，得到了直径为20mm，成型效果好的均匀素坯。素坯通过排胶对其内粘接剂进行排除，排胶工艺为：从室温缓慢将温度升至120℃，并在此温度下保温半小时，以充分排除样品中的水分，再将加热温度升至500℃并保温2h，使素坯中的有机物得到充分的挥发和排除。 自制Al2O3粉体合成的AlON粉体成型后在1880℃下保温10h可以使其达到透明，但样品呈灰黑色且内部不均匀，随着保温时间的延长，样片的光学透过率和均匀性都得到有效的提高。当烧结时间延长至40h，陶瓷的透明度提高，样品已基本无颜色。烧结致密化过程是靠扩散传质完成，按烧结温度及扩散进程划分为三个阶段：烧结初期，烧结中期，烧结后期。 市售Al2O3合成的AlON烧结活性要比自制Al2O3合成的粉体高，且1880℃下烧结的透明陶瓷比在1860℃下烧结具有更高的透过率。烧结助剂的添加量对陶瓷的烧结有重要影响，陶瓷透过率随着Y2O3烧结助剂量从0.1wt%增加到1.0wt%呈先增大后减小的趋势，最佳添加量为0.5wt%。Y2O3烧结助剂的作用机制为：1) 其与主相(AlON)固溶体后造成主晶相晶格畸变，晶体内部的缺陷增加，便于结构基元移动而促进陶瓷的烧结；2) 通过溶质拖曳机制抑制晶粒长大。若其添加的量过少，不能有效起到烧结助剂的烧结促进作用，影响了陶瓷的烧结致密化；若其添加过量过多，其将会在晶界上形成富集相，严重影响陶瓷的烧结。 采用在1940℃下保温1h，然后再在1880℃下保温9h两步烧结法， 采用自制Al2O3粉体合成的AlON粉体在1880℃下烧结10h，20h和40h的样品在中红外波段的最大光学透过率分别为10%，