THSGD-1(安徽)实验指导书(光电检测)new.docVIP

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目 录 目 录 1 实验一 发光二极管特性测试实验 2 实验二 光敏电阻的特性测试实验 3 实验三 光敏二极管的特性测量 5 实验四 光敏三极管的特性测量 8 实验五 硅光电池特性测试实验 10 实验六 透射式光电开关 12 实验七 反射式光电开关 13 实验八 光照度传感器测光照度实验 14 实验九 半导体激光器实验 16 实验十 光耦实验 18 实验十一 光电转速实验 19 实验十二 光调制解调 21 实验十三 热释电红外传感器检测实验 22 实验十四 PSD位置测量实验 23 实验十五 光纤温度传感器系统实验 24 实验十六 光纤位移传感器实验 26 实验十七 光纤压力传感器压力系统实验 28 实验一 发光二极管特性测试实验 一、实验目的 了解发光二极管的工作原理及基本特性。 二、实验仪器 电流表、光电器件/光开关实验模块、光功率/光照度计。 三、实验原理 某些半导体材料(如GaAs)形成的PN结正向偏置时空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。发光波长可由下式确定: (1-1) 式(1-1)中h为普朗克常数,c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度,因此发光二极管发出光的波长不是单一的,其发光波长宽度一般在25~40nm左右,随半导体材料的不同而有差别。 发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系由下式确定: (1-2) 其中,η为发光量子效率,Ep为光子能量,e为电子电荷常数。 从上式可见,输出光功率与驱动电流呈线性关系,当电流较大时由于PN结不能及时散热,发光效率降低,LED输出光功率趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的白色超高亮度发光二极管作为光源,驱动电流的调节范围为0~20毫安。 四、实验内容与步骤 1.如图1-1接线,将直流电流表和发光二极管串联接入LED“光源驱动”恒流源中,用专用连线连接硅光电池至光照度计。 图1-1 发光二极管特性测试实验接线图 2.光照度计选择“2000Lx”档(注意要调零),直流电流表选择“20mA”档。 3.将“电流调节”电位器逆时针旋到底,打开电源开关,顺时针旋转“电流调节”电位器,将电流表和光照度计的读数记入表1-1。 表1-1 发光二极管发光特性 电流(mA) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 光照度(Lx) 五、实验报告 1.根据表1-1的实验数据作出发光二极管的电流-光照关系曲线。 2.总结说明发光二极管的发光特性。 实验二 光敏电阻的特性测试实验 一、实验目的 1.了解光敏电阻的工作原理。 2.测量光敏电阻的光照特性。 二、实验仪器 恒流源、直流电流表、万用表、光电器件/光开关实验模块。 三、实验原理 光敏电阻的工作原理是光电导效应。在无光照时,光敏电阻具有很高的阻值,在有光照时,当光子的能量大于材料的禁带宽度,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,激发出电子-空穴对,使电阻降低。入射光越强,激发出的电子-空穴对越多,电阻值越低光照停止后,自由电子与空穴复合,导电性能下降,电阻恢复原值。光敏电阻通常是用半导体材料CdS(硫化镉)或CdSe(硒化镉)等制成。图-1为光敏电阻的原理结构示意图。 图-1 光敏电阻原理结构图 它是由涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质构成,半导体上装有梳状电极。由于存在非线性,因此光敏电阻一般用在控制电路中,不适用作测量元件。发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系由下式确定:为发光效率,为光子能量,为电子电荷常数。 由上式可知,输出光功率与驱动电流呈线性关系,因此本实验用驱动电流可调的发光二极管作为实验光源,来测量光敏电阻的光照特性。 四、实验内容与步骤 1.光敏电阻,,1.了解光敏二极管的工作原理。 2.测量光敏二极管的光照特性、伏安特性。 恒流源、直流电流表、直流稳压电源、直流电压表、1.工作原理 光敏二极管是一种PN结半导体元件,它以高电阻系数P型硅(或锗)为基本材料制作基片,然后在基片上用扩散磷的方法形成N型光敏面,构成一个PN结,当具有比禁带能量大的光照射到PN结上时,半导体内电子受到激发,就产生出电子-空穴对。由于电场的作用,在耗尽层中产生的电子向N区漂移,空穴向P区漂移,并且扩散长度以内的电子、空穴也从PN结扩散到耗尽层,然后又在电场作用下,各自漂向N区和P区,如图-1所示。结果就在P型层和N型层中产生了电荷积累,从而产生了电势,这就是光电效应。 这种电荷积累降低了PN结势垒,所以电子和空穴又会反方向移动,直到电压下降到某一值时就达到了平衡,这个电压值称为开路电压。将PN结两端的电极短路时所产生的电流称为短路电流,如图-2

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