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电子技术基础（模拟部分） 填空题。（每空1分，共30分） 1、PN结正偏时_________，反偏时_________，所以PN结具有单向导电性。 2、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为_________，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为__________，等效成断开。 3、三极管是__________控制元件，场效应管是__________控制元件。 4、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic__________，发射结压降__________。 5、三极管放大电路共有三种组态分别是_________________、_______________、________________放大电路。 6、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用_______________负反馈，为了稳定交流输出电流采用_____________负反馈。 7、共集电极放大电路具有电压放大倍数___________，输入电阻______，输出电阻________等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 8、差分放大电路能够抑制__________漂移，也称________漂移，所以它广泛应用于集成电路中。 9、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为__________，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为____________。 10、振荡电路的平衡条件是______________，_______反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 11、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。 12、在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生__________失真；静态工作点过低，信号容易产生___________失真。 13、场效应管与晶体管相比较，其输入电阻 ___ ；噪声 ___ ；温度稳定性好；饱和压降 ____ ；放大能力 ______ ；输出功率 _______ 。 二、选择题。（每题2分，共30分） 1. 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是 管，处于 。 （ ） A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区 2． 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 （ ）。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3． 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：（ ）。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小 C 共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大 4． 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 5．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 7．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用（ ）滤波器。 A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通 8．晶体管能够放大的外部条件是（ ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 9．放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。 A．耦合电容和旁路电容的影响 B．晶体管极间电容和分布电容的影响 C．晶体管的非线性特性 D．放大电路的静态工作点设置不合适 10．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ ）。 A．共射组态 B．共基组态