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* 上一张图片中我们介绍了质子的质量数为1，原子序数也为1，两者均为奇数，所以质子是有自旋的。由于质子带有电荷，其自旋会产生小磁场，并形成磁矩，自旋的质子就好像一个小磁铁。当把自旋的质子置于外磁场（H。)中时，该质子就像磁场中自由运动的磁铁只有2种自旋取向。一种自旋形成的磁矩与外磁场同向，处于低能态；另一种自旋形成的磁矩与外磁场反向，处于高能态。这两种取向的能量差为： 式中h为普朗克常数；g 为质子的特征常数。从该式可知，质子产生自旋能级的跃迁所需要的能量DE与外磁场强度成正比。外磁场中的自旋质子可从照射它的电磁波中获得能量，质子所获得的这部分能量与照射质子电磁波的频率（n）成正比。当某一频率电磁波的能量（E=h n）恰好与1H核两个能级之间的能量差相等时，1H核就吸收能量，由低能态跃迁到高能态，发生核的转向（从顺磁场方向转到反磁场方向）。这种现象就叫核磁共振。产生核磁共振的条件为： 我们可以通过调节照射电磁波频率n或外磁场强度H。来满足以上共振条件实现核磁共振。实际上，固定电磁波频率而调节磁场强度,操作较为方便，所以现在一般的核磁共振仪均采用这种方式进行扫描（叫扫场），当磁场强度达到一定值，刚好满足上式时，即发生核磁共振而产生能量吸收。 从核磁共振条件可知，对同一种原子核，实现核磁共振时电磁波的频率取决于外磁场强度H。。当H。增加时，若要产生核磁共振，则照射的电磁波频率也相应增加，反之亦然。核磁共振仪的灵敏度取决于射频的频率，射频的频率越高的核磁共振仪绘制的谱图越精细。 * 化学环境不同的氢核周围的电子云密度不同，因而氢核受到的屏蔽作用也不相同。要使受到屏蔽的质子发生共振，必须加大外磁场强度，克服感生磁场，才能产生核磁共振吸收。氢核周围的电子云密度越高，屏蔽效应就越大，要克服感生磁场产生共振，所需的外磁场越强，所以，此时共振信号出现在较高磁场。反之，氢核周围的电子云密度越低，屏蔽效应就越弱，核磁共振信号则将出现在较低磁场。 分子中不同类型的氢核由于电子屏蔽效应的不同，其共振吸收峰出现在NMR谱中不同的位置，这种位置的差异称为化学位移。由于这种位置上的差异是微小的，所以要精确地测出其绝对值是困难的，一般以相对数值表示。通常以四甲基硅烷（CH3)4Si（简称TMS）作为标准物质，因为它的12个氢核都是等同的，其NMR信号为一强尖峰，且因其屏蔽作用很大而出现在很高磁场。以TMS的信号为原点，其他氢核的共振信号都比TMS要低场，它们与原点之间的相对距离即这些信号的化学位移值。 * 由上式可推测，在一定外磁场强度下，质子产生自旋能级跃迁所需要的能量DE是相同的，那么在同一外磁场中，同一分子中的所有质子共振时吸收的电磁波频率应是一样的。如果事实真是如此，则发生核磁共振时，有机物分子中所有氢核的共振频率都一样，在核磁共振谱上就只有一个氢的信号，这样核磁共振对结构鉴定就毫无用处。 但是实际上有机分子中的不同的氢核产生核磁共振所吸收的电磁波的频率略有不同。这是因为有机分子中的不同的氢核由于其周围的原子或基团不同，所以它们处于不同的电子环境中。 我们通过上图以氢核来解释上述原理。氢核的周围有电子，电子在与外部磁场垂直平面上绕核运动，会产生与外磁场方向相反的感应磁场，这种感应磁场可部分对抗外加磁场，使氢核实际所受到的磁场强度略小于外磁场强度（小百万分之几）。核周围电子对核的这种作用叫做屏蔽效应（shielding effect）。 * 核的共振频率是与外部磁场成正比的，磁场强度越大，化学位移也越大。为了消除仪器对化学位移相对值的影响，我们将样品氢核与TMS氢核共振频率之差（n样- nTMS即样品氢核的化学位移）除以核磁共振仪所用照射频率n0，这样化学位移值（用d表示，单位为ppm）定义为： 在核磁共振谱上，信号从左向右移向高磁场叫做抗磁性位移，这种效应叫屏蔽效应；信号从右向左移向低磁场叫顺磁性位移，这种效应叫反屏蔽效应。如图15－10所示。 * * 我们研究各种吸收波谱时，关心谱图中各种信号的峰位、峰型和峰强。在核磁共振的谱图中，峰面积实际上就反映了峰强。在氢核磁共振谱中，信号强度与产生这些信号质子的数目成正比，因此可利用共振吸收峰的面积判断产生此吸收的氢核的数目。一般核磁共振仪上都装有积分器，可对峰面积进行积分。积分线从起始线到终止线的总高度与分子中总的氢核数目成正比，而每一阶梯的高度与相应的氢核数目成正比。 在甲苯的NMR谱中，积分曲线上升的总高度为48格，分子中总的氢核数为8，故积分线每一格相当于8／48即1／6H。由此可知产生低场吸收信号的氢核数b=30*1/6=5，产生高场吸收信号的氢核数a=18*1/6=3，分别为苯环上的5个氢和甲基上的3个氢。 * 在质子核磁共振谱中，某一类型的质子常裂分为多重峰，这是由于这些质子受附近质子