02章_区熔提纯
4. 质量输运 质量输运或质量迁移:区熔时,物质会从一端缓慢地移向另一端的现象。 产生的原因:物质熔化前后材料密度变化,对某一物质,区熔时其质量输运的多少和输运的方向取决于熔化密度变化的大小与符号。 熔化时体积缩小,输运的方向与区熔的方向一致,例如锗、硅; 熔化时体积增大,输运的方向与区熔的方向相反。 质量输运的结果,会使水平区熔的材料锭纵向截面变成锥形,甚至引起材料外溢,造成浪费。 质量迁移1、熔化时体积缩小,输运的方向与区熔的方向一致 第一段,刚开始区熔,熔化时A熔区体积缩小,设锭材高为1,熔化时体积缩小后高为x x xy1 第二段,熔化时第二个熔区B体积缩小,第一个熔区冷凝,由于A是从左到右局部冷凝,而且B熔区也开始熔化,所以A冷凝后的高度略增加,而且从左到右缓慢上升 A A B 如果熔区不移动,则A熔区冷凝后还会增加体积恢复原样,但由于熔区的移动,不断有材料熔化而造成体积缩小,即使先凝固的部分体积略有增加,也必需与熔化的部分保持一个平面,而不可能凭空拨高,所以凝固区从左到右高度增加,但不会到原来的高度。 y 质量迁移 2、熔化时体积增加,输运的方向与区熔的方向相反 第一段,刚开始区熔,熔化时A熔区体积增加,设锭材高为1,熔化时体积增加后高为x x 1yx 第二段,熔化时第二个熔区B体积增加,第一个熔区冷凝,由于A是从左到右局部冷凝,而且B熔区也开始熔化,所以A冷凝后的高
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