带隙基准源程序.ppt

* * * * * * * * * * * 低温漂CMOS基准源的设计 By 丁力 洞察 实践 效果 1 2 3 带隙电路设计 研究原因 论文结构 基准源基本原理 运放设计 偏置设计 启动电路设计 第一二章 直流特性 温度特性 交流特性 启动瞬态仿真 扩散思考 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。它的温度稳定性以及抗噪声能力影响到整个系统的精度和性能。 近年来，芯片系统集成（system on chip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注．随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块提出了更高精度及速度的要求。 笔者个人的学习工作经历。 研究原因 1）介绍CMOS带隙基准源的现状、发展趋势以及本课题研究目的意义； 2）介绍基准源的分类，详细分析带隙基准源的基本原理和几种基本框架，并分析其优缺点； 3）对高精度的CMOS带隙基准源进行设计分析和模拟仿真； 论文结构 基准源基本原理 MOS管型基准源 基准源基本原理 二极管型基准源 当 =750mV，T=300K时， 的值约为-1.5mV/K。 负温度系数CTAT 正温度系数PTAT 在两条支路电流相等的条件下，如果增大二极管D2的反射区面积，就会使得D2上的压降比D1小，该电压差将会落在电阻R1上。 由于热电压 ，即两个正向导通二极管的电压差与绝对温度T成正比。 1）用NMOS阈值电压的负温度系数，加上PMOS阈值电压的正温度系数合成低温漂基准源； 2）从MOS管源-漏特性复制出与电源电压无关的电学参数； 3）两个温度系数的电压去相减； 开放性创意 失败尝试 直流特性 温度特性 交流特性 启动瞬态仿真 带隙电路设计 运放设计 偏置设计 启动电路设计 1 洞察 实践 效果 2 3 研究原因 论文结构 基准源基本原理 扩散思考 第三章 整体电路的设计 启动电路 偏置电路 运算放大电路 BANBA基准源 核心电路 Architecture（构建） 消除负面情绪 扩大正面声音 引导舆论内容 流过mos管的电流为： Mos管尺寸： 运算放大器的设计 Architecture（构建） 消除负面情绪 扩大正面声音 引导舆论内容 运算放大器的设计 Architecture（构建） 消除负面情绪 扩大正面声音 引导舆论内容 偏置电路 偏置电路 偏置电路 工作原理： 由于 PMOS 管 M1的栅极接地， 所以 MS1始终导通， 这样使得 S点电平升高，S也是 M2管的栅极，因此 M2管导通，这样如果启动点为 PMOS栅极和源极短接，该 PMOS管就导通了，电路可以开始工作。最后还必须使 M2脱离当电路开始正常工作时，M3管开启，这样就再次使 S节点电平下降，M2管由此关断脱离了启动部分。由于 MSA常导通，对于功耗是一种浪费，所以要使流过M1的电流尽量小，可以设计的时候使 M1的W 小于 L，具体还需经过仿真来验证。 最终参数： WSA=0.22u LSA=10u; WSB=0.5u LSB=0.5u; WSC=0.5u LSC=0.5u 研究原因 论文结构 基准源基本原理 扩散思考 直流特性 温度特性 交流特性 启动瞬态仿真 带隙电路设计 启动电路设计 偏置设计 1 洞察 实践 效果 3 2 第四章 运放设计 电源电压的直流仿真结果 ·电源电压在3.5V～5V范围内变化时，基准源输出电压小于0.12mV，几乎保持不变，因此基准源具有良好的稳定性。 温度特性的仿真结果 ·在-20℃～100℃的范围内,基准电压的输出变化小于3mV，由公式 得到其相对温度系数为20.7ppm/℃，具有良好的温度特性。 交流小信号分析的仿真结果 ·常温下，带隙基准电压在整个工作带宽内都具有很高的电源抑制比，高频区域有了很明显的下降。在1MHZ以上时，基准电压的电源抑制比都在 -60dB以下。 启动电路的瞬态仿真结果 ·当电源从0到5V的跳变时。启动电路的M2导通，有一个电流通过M2。使自偏置电路进入工作状态。其后启动电路M3导通使得M2关断。启动电路从主电路脱离。 结论 本文通过对CMOS带隙基准电压源进行深入的研究，设计出了一种精度较高的带隙基准源。 由电路的仿真结果可将基准源的性能概括如下: 1）产生1.25V基准电压； 2）电压范围3.2V～5 V内基准源变化小于0.1mV； 3）输入电压为5V时，在0℃～100℃范围内，温度系数可以达到20.7ppm/℃； 4）基准源有较高的电源抑制比，在1HZ到1