KSi能带结构及态密度的第一性原理汇编.pptVIP

KSi 能带结构及态密度的第一性原理研究 主要内容 研究背景 金属硅化物因容易与硅工艺兼容引起人们极大的关注。集成电路中的硅表面金属化过程可采用一些过渡金属硅化物实现。近年来，β-FeSi2 及Mg2Si、Ca2Si 和BaSi2 等碱土金属硅化物的光电及热电性质被广泛研究。然而对碱金属硅化物的研究却很少，最近Y.Imai 等人采用第一性原理计算初步证实碱金属硅化物为半导体材料，认为碱金属元素是改善BaSi2 能带结构适合的掺杂物质，以使BaSi2 的能带带隙符合太阳能电池要求的理想值，然而在国内尚无这方面研究的报道。 研究背景 鉴于钾在地球上蕴量丰富且在工业上应用广泛，故采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法KSi 的能带结构及态密度进行了计算，并详细探讨了其电子结构特点。 计算方法 KSi 属立方晶系，其空间群P4—3n(218)，晶格常数a=1.262 nm。其Pearon 符号为cP64，一个原胞中包含64 个原子，K 和Si 各有两种原子环境，其坐标位置如表1 所示。 计算方法 通过对称变换构成晶胞，如图1 所示。其中Si 原子间构成四面体结构，形成Si-4 阴离子，周围有16 个K+阳离子。 计算基于密度泛函理论描述电子间的相互作用，其交换相关势由局域密度近似或广义梯度近似进行校正；用赝势