二极管整流、滤波、稳压电路程序.ppt

整流电路 滤波电路 稳压电路 电路结构 二、并联型稳压电路 三、硅稳压管稳压电路 1. 稳压电路的工作原理 T RL C Ui R IR UZ IZ DZ uo u2 io u1 硅稳压管组成的并联型稳压电路如图所示，经整流滤波后得到的直流电压作为稳压电路的输入电压Ui，限流电阻R和稳压管DZ组成稳压电路，输出电压Uo=UZ。 T RL C Ui R IR UZ IZ VZ Uo u2 io u1 根据稳压管的特性，当UZ升高一点时，IZ将会显著增加，这样必然使电阻R上的压降增大。 T RL C Ui R IR UZ IZ VZ Uo u2 io u1 稳压—当输入电压Ui发生变化， 负载RL变化时，输出电压基本不变 下面分别以两种情况来讨论： U0 IZ UR=IRR=（IZ+Io）R U0 当Ui增加使U0升高时 * 第一部分 二极管及其整流电路 * 复习 1.导体、绝缘体、半导体 2.本征半导体 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 。由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 3.杂质半导体 （1）N型半导体——在硅或锗的晶体中 掺入少量的五价元素,如磷,则形成N型半导体。 N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的P（磷） 越多导电能力就越强。 （2）P型半导体——在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,如硼,则形成P 型半导体。 P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 4.PN结的形成 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成 P型半导体区域和 N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。 PN结具有单向导电性。 正向偏置： P区加正、N区加负电压 多子运动增强，PN结导通 反向偏置： P区加负、N区加正电压 少子运动增强，PN结截止 5.半导体二极管 P N 阳极A 阴极K 硅材料二极管 死区电压0.5V ，导通电压0.7V 锗材料二极管 死区电压0.2V，导通电压0.3V 硅管0.5V,锗管0.2V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1.二极管的伏安特性 二极管的单向导电性 （1） 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 （2） 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 （3） 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 （4） 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 直流稳压电源的组成 直流电源一般由交流电源、变压器、整流、滤波和稳压电路几部分组成。 变压器将常规的交流电压（220V、380V）变换成所需要的交流电压； 整流电路将交流电压变换成单方向脉动的直流电； 滤波电路再将单方向脉动的直流电中所含的大部分 交流成分滤掉，得到一个较平滑的直流电； 稳压电路用来消除由于电网电压波动、负载改变对 其产生的影响，从而使输出电压稳定。 3 整流、滤波电路及稳压电路 滤波 整流 稳压 变压 交流 电源 负 载 O t u O t u O t u O t u O t u 220 V 单向 脉动电压 合适的 交流电压 滤 波 稳 压 组成 框图 整流电路的作用: 将交流电压转变为脉动的直流电压。 常见的整流电路： 半波、全波、桥式和倍压整流；单相和三相整流等。 分析时可把二极管当作理想元件处理： 二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。 整流原理： 利用二极管的单向导电性 1.电路组成 uo ? t o ? t o ? t o ? t o ? 2? 3? uo u2 u2 u1 uD io io RL T ? 2? 3? 2 U2 2 U2 2 U2 Im ? ? 2? 2? 3? 3? u