QAMonthlyreport.ppt

LED外延学习资料 Lattice Power Corporation CONFIDENTIAL * Lattice Power (Jiangxi) Corporation * Lattice Power Corporation CONFIDENTIAL * QA Lerry 2011.10.17 LED外延学习资料 衬底制备 衬底清洗 衬底光刻 衬底刻蚀 衬底去胶 外延前清洗 一、衬底制备与外延生长工艺流程： 外延生长 石墨BAKE 长模板 放片 生长 取片 LED外延学习资料 衬底清洗： SPM清洗：用硫酸与双氧水配成的SPM溶液具有强氧化能力，本工步用于清除SI衬底表面的有机污染物及 部份金属，金属氧化后溶于清洗液，有机物氧化成CO2与H2O DHF清洗：用氢氟酸去除及抑制SI片表面的自然氧化膜 衬底光刻： 目的：刻出沟槽的图形，确定芯片的尺寸 过程：上黏胶-----烘烤-----上光刻胶-----烘烤-----曝光-----显影-----甩干-----坚膜 故此处需上两层胶，若只上光刻胶，经旋匀后其胶层厚度较薄，对曝光与显影 有影响 衬底刻蚀： 目的：刻出沟槽，为了长外延时消除应力影响 衬底去胶： 目的：去除之前光刻时在衬底上所上的胶层，采用SPM去胶 外延前清洗： SPM-----SC1-----HF 衬底制备完成，将