第5章低频功率放大器精读.pptVIP

一.甲乙类双电源互补对称电路 解决方法： 设法建立合适的Q点，使两只三极管T1和T2均工作在临界导通或称微导通状态。因此想到利用二极管进行偏置，从而可以克服交越失真。 5.2.5 消除交越失真互补对称功放电路 vo vi T3 Re3 Rc3 D1 D2 iC1 iC2 iL iB1 iB2 B1 B2 分析工作原理： 静态时，即vi＝0 T3必导通。看直流通路： 从+VCC经Re3、T3、D1、D2、RC3到-VCC形成一个通路，则： T1和T2均处于微导通状态 vo vi T3 Re3 Rc3 D1 D2 iC1 iC2 iL iB1 iB2 B1 B2 分析工作原理： 两管分别有一个微小的基极电流IB1和IB2 导致两管集电极分别有微小的电流IC1和IC2 从而建立了一个在输出特性曲线上较低的Q点 ——电路处于甲乙类 工作状态。 vo vi T3 Re3 Rc3 D1 D2 iC1 iC2 iL iB1 iB2 B1 B2 分析工作原理： 动态时，设vi=VmSinωt vi0，即正半周时 T1导通， T2截止； T1 基极电位进一步提高，进入良好的导通状态； T2导通， T1截止；T2 基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。 Vi0，即负半周时 B1和B2可近似视为一点 前面讲的这个电路解决了乙类放大电路的交越失真问题，但它也存在一个缺点：由于D1、D2的导通压降是固定的，故电路的偏置电压不可调。如何解决这个问题？ 引出了前面电路的改进电路，如下： 改进电路： vo vi T3 Re3 Rc3 iC1 iC2 iL iB1 iB2 B2 B1 R1* R2 T4 - + VCE4 VBE4 + - 将D1、D2的位置换成一个三极管T4。 只考虑改进部分： ∵ ∴ 而VBE4固定(Si:0.6~0.7V)，故调整R1与R2的比值就可改变T1与T2间偏置电压。 电路缺点：双电源！ 1W的小功率放大器 10W以上的中功率放大器 25W的厚膜集成功率放大器 输出功率发展变革 5.3 集成功率放大器 单声道的单路输出集成功率放大器 双声道立体声的二重双路输出集成功率放大器 电路结构发展变革 一般的OTL功率放大器集成电路 具有过压保护电路、过热保护电路、负载短路保护电路、电源浪涌过冲电压保护电路、静噪声抑制电路、电子滤波电路等功能更强的集成功率放大器 电路功能发展变革 6.5 功率器件 6.5.1 功率BJT 6.5.2 功率MOSFET 6.5.3 功率模块 图 二次击穿实验曲线 图 二次击穿临界线 反偏二次击穿触发功率 零偏二次击穿触发功率 正偏二次击穿触发功率 ◤在二次击穿现象中，当第一次雪崩击穿后，从电流上升到ISB ，再到触发产生二次击穿的时间延迟，称为触发时间。意味着BJT工作点进入一次击穿区时，并不立即产生二次击穿，而要有一个触发时间。当加在BJT上的能量超过临界值（触发能量）时，才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。 5.4.1 功率BJT 二次击穿 5.4 功率器件 BJT的安全工作区 ◤ BJT工作的安全范围由几条曲线限定：①集电极最大允许直流电流线ICM，由集电极允许承受的最大电流决定；②集电极允许最高电压UCE0，由雪崩击穿决定；③集电极直流功率耗散线PCM ，由热阻决定；④二次击穿临界线PSB，由二次击穿触发功率决定。◢ 图 BJT的安全工作区 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 结构 5.4.2 功率MOSFET IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 5.4.3 功率模块 IGBT的特性和参数特点 开关速度高，开关损耗小。 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。 通态压降比VDMOSFET低。 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 本章小结 归纳一下本章的线索： 电压放大电路 (甲类放大电路) 为了提高转换效率 引出了乙类、甲乙类放大电路 乙类双电源互补对称功率放大电路 为解决波形失真问题 为了解决交越失真问题 甲