第二章集成电路的半导体器件学案.ppt

2.1 半导体的特性 2.2 PN结和晶体管 2.3 双极型晶体管 2.4 MOS场效应晶体管 2.5 集成电路的无源器件 导体：电阻率小于10-4Ω.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料； 绝缘体：电阻率大于1010Ω.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 半导体：电阻率在10-3~109Ω.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料； 硅作为集成电路半导体材料的主要原因： 1. 硅含量丰富（占地壳27%）； 2. 硅提纯和结晶方便； 3. 硅的器件工作温度高； 4. SiO2膜的钝化和掩模作用是器件的稳定性以可靠性提高。 2.1.2半导体的晶体结构 1. 金刚石型结构 2. 闪锌矿型结构 3. 纤锌矿型结构 2.1.3半导体中的电子状态 1 能级与能带 共有化运动——在晶体结构中，大量的原子按一定的周期有规则的排列在空间构成一定形式的晶格。如果原子是紧密堆积的，原子间间距很小。晶体中原子能级上的电子不完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，结果电子可以在整个晶体中运动。 电子共有化的原因：电子壳层有一定的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。 原子彼此接近时的能级图并说明 E(k )与k的关系是一种定性的关系，必须找到 E(k )函数才能找到定