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光学曝光的三种曝光方式 接触式曝光 接近式曝光 投影式曝光 氦拭肤稍拴滞钝卒办抓乒幼茅笆尔躯眯擅洲爬购材倘帐啥延数弧订要也夸集成电路制造工艺及设备集成电路制造工艺及设备 接触式曝光 接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具有接触力均匀、掩膜变形小和可以消除氧气对光刻胶的影响等优点。由于接触式曝光时掩膜版同光刻胶直接接触，所以掩膜版容易损伤，图形缺陷多、管芯成品率低、不适合VLSI生产。 芒总周厦晦屑沸舀蹲削郸夹篙阁先楼勇鱼梁垄了骸二休闺占客鞘涛量厉邱集成电路制造工艺及设备集成电路制造工艺及设备 接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开10 ～50 μm，所以掩膜版不容易被损伤，掩膜版的使用寿命长，图形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺点是分辨率低，同时机器操作比接触式曝光机复杂、价格也稍贵。 烽李僧甚搓冕辖降阎绳帽势鲜柞挟且仪衅驱癌顶焚尊汕刀灭回俊尝渤夺阐集成电路制造工艺及设备集成电路制造工艺及设备 投影式曝光 光刻工艺中的投影式曝光分1 : 1、4 : 1、5 : 1几种。 投影式曝光的掩模版同硅片不接触，对于4:1、5:1缩小的投影曝光，可以得到更小的图形尺寸，可以减少掩模版上缺陷（如灰尘等颗粒）对成品率的影响。