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第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL“与非”门输出管的，其图形如图题2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 然后利用公式： ， 注意：在计算W、L时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA的电流负载下 ，≤0.4V，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由、求有效发射区周长； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距画出发射区扩散孔； ③由先画出