刻蚀空气柱型VCSEL结构及制备.docVIP

《微电子与光电子集成技术》 综合训练报告 题目 刻蚀空气柱型VCSEL的结构及制备 学 院： 电子与信息工程学院 专 业： 电子科学与技术 班 级： 电子12-1班 学 号： 1206040103 姓 名： 符淋淋 指导教师： 赵旺 成 绩： 综述 1.1发展历史 垂直腔面发射激光器（VCSEL），简称面发射激光器，成功研制至今有三十年，在半导体激光中起步较晚却发展迅速。1977年日本东京工学院的Iga教授首先提出了面发射半导体激光器的设想，并且在1978年应用物理学会的年会上发表了第一篇关于面发射激光器的论文。提出这一概念的目的是为了提高光通信的能力。随着分子束外延(MBE)及金属有机物化学气相沉积(MOCVD)出现，1986年Iga教授的科研小组制备出了6mA的面发射激光器，并且在1987年应用MOCVD技术在GaAs衬底上研制出了第一只室温(RT)连续激射(CW)的VCSEL。从20世纪90年代初期开始，VCSEL的研究得到了飞速发展，取得究者的兴趣。 1.2基本结构 1.2.1VCSEL基本结构 在面发射激光器中最常见的类型是垂直腔面发射激光器(VCSEL)，其由三部分组成:上分布布拉格反射器(即DBR)、谐振腔和下分布布拉格反射器。DBR是由折射率不同的两种薄膜构成的多层膜系，每层膜的光学厚度是四分之一波长，一组DBR一般由20-40对薄膜组成。谐振腔的厚度一般在几个微米左右。与边发射激光器的增益长度相比，VCSEL有源层的增益长度极小(几十纳米)。为了能够实现激射，DBR必须具有很高的反射率(一般大于99%)。根据DBR所使用的材料不同，VCSEL可分为刻蚀阱VCSEL、半导体膜光学膜VCSEL及全外延半导体膜VCSEL等。 1.2.2刻蚀空气柱型VCSEL结构  HYPERLINK /ic_words/index.html?key=VCSEL \o 电子辞典:VCSEL \t /news/2008-12-03/_blank VCSEL的性能很大程度上是由其外延结构和制作工艺决定的。例如，在 HYPERLINK /ic_words/index.html?key=VCSEL \o 电子辞典:VCSEL \t /news/2008-12-03/_blank VCSEL的发展过程中，研究人员一直在探索降低 HYPERLINK /ic_words/index.html?key=VCSEL \o 电子辞典:VCSEL \t /news/2008-12-03/_blank VCSEL阈值电流的方法，因此设计一个合理的结构及制作工艺来提高对载流子的横向限制就有着非常重要的意义。在VCSEL的基本结构上人们又研制出一些具体的结构，可以对光子或电子进行横向限制，分别为刻蚀空气柱型、离子注入型、再生长型和选择氧化型。这几种结构需要不同的制作技术并且具有不同的光电及热学特性。对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构因此下面我就对刻蚀空气柱形VCSEL进行研究与分析。下图为刻蚀空气柱型结构图。 如图所示刻蚀空气柱形VCSEL基础上做了简单的加工，先做好电极，然后进行刻蚀，从上至下采用柱形法刻蚀到谐振腔与n型DBR之间，保留中间的部分。 1.3制备 制作空气柱型VCSEL，可先做好电极，然后再进行器件的刻蚀。刻蚀过程中，要能够测量刻蚀的深度，以便进行工艺调整，提高加工精度。可通过激光射在刻蚀表面，通过测量反射光的光强来确定刻蚀的深度。 在刻蚀中为了除去谐振腔外层的材料，通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中，为了严格控制腐蚀的深度，通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液，并且磷酸对 HYPERLINK /search.html?key=GaAs \o IC库存:GaAs \t /news/2008-12-03/_blank GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比，例如，H3P04：H2O2：H2O＝1∶1∶10，进行各向同性的湿法腐蚀。但是一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制，刻蚀后在柱的底部有凹槽，这限制了器件直径的进一步减小。另外一个缺点就是工艺的可重复性较差，腐蚀液的配比、腐蚀时间和腐蚀温度都会影响到表面的质量。 在本次实验中，我选择干法刻蚀，如离子束刻蚀（CAIBE）和反应离子刻蚀（RIB）等，可以实现减小器件直径的目的，刻蚀后柱面的垂直性很好，表面也很平滑。光腔直径的减小，意味着有源区体积减小