第03章光通信器件rendp分解.ppt

* 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。 GaAlAs –GaAs 激光器T0=100~150 K InGaAsP-InP 激光器T0=40~70 K 所以长波长InGaAsP-InP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感。  外微分量子效率随温度的变化不十分敏感。 * 和正面发光型相比，侧面发光型LED的驱动电流较大，输出功率较小，但由于光束的辐射角较小，与光纤的耦合效率较高，因而入纤光功率比正面发光型大。 * 图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关系。 对有源区为低掺杂浓度的LED， 适当增加工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。 在一般的工作条件下，正面发光型LED截至频率为20~30MHz,侧面发光型LED截至频率为100~150MHZ 在实际应用中，通常把光源做成组件，如图所示LD组件构成的实例，偏置电流和信号电流经驱动电路作用于LD，LD正向发射的光经隔离器和透镜耦合进入光纤， 反向发射的光经PIN光电二极管转换进入光功率监控器，同时利用热敏电阻和冷却元件进行温度监测和自动温度控制（ATC） * * 光纤通信系统要求光检测器：（1） 灵敏度高：灵敏度高表示检测器把光功率转变为电流的效率高。在实际的光接