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忆阻器的发展与应用 2010年12月29号 Contents 概念产生与发展 1 忆阻器元件的实现 2 忆阻器的应用前景 3 总结 4 概念产生与发展 什么是忆阻器？ 忆阻器（Memristor）的概念由加州大学伯克利分校的蔡少棠（Chua）在1971年提出。忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件，被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。 概念产生与发展 忆阻器的定义 由电路理论可知，三个传统的二端口电路元件电阻（R）、电容（C）、电感（L）建立了四个电路变量电压（V）、电流（I）、磁通量（φ）和电荷量（Q）间的联系。上述四个电路变量两两之间可以建立六个数学关系式，其中五对关系式已经为大家所熟知——分别来自R、C、L、Q 的定义和法拉第电磁感应定律（如图1所示），但φ、Q 间的关系却一直没被揭示。 概念产生与发展 忆阻器的定义 图1 概念产生与发展 忆阻器的定义 Chua从电路变量关系完整性角度，定义了增量忆阻M（Q）来描述φ、Q 间的这一关系： M（Q）=dφ（Q）/dQ （1） 满足公式（1）所定义关系的电路元件被称为忆阻器。 同时，由dφ=Vdt，dQ=I