1.常用半导体器件.pptVIP

　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb 图 1.1.11（b) 2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 图 1.1.12 P N PN 结 综上所述： PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。 当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd； 在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。 1.2 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型 图1.2.1二极管的几种外形 1 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 2 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 4　二极管的代表符号 D 1.2.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压：0.5V 导通电压：0.7 一、伏安特性 锗二极管2AP15的伏安特性 Uon U(BR) 开启电压：0.1V 导通电压：0.2V 二、温度对二极管伏安特性的影响 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。 二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度增加 1.2.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM (5) 极间电容Cj 在实际应用中，应根据管子所用的场合，按其所承受的最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等条件，选择满足要求的二极管。 1.2.4 二极管等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路　 1. 理想模型 2. 恒压降模型 3. 折线模型 二、二极管的微变等效电路 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 图1.2.7二极管的微变等效电路 应用举例 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 应用举例 例1：P66习题1.3 解：采用理想电路模型　　　　 ui和uo的波形如图所示 例2：P66习题1.5 解：采用恒压降电路模型 二个二极管共阳极接法 输入电压小者先导通 ui和uo的波形如图所示 1.2.5 　稳压二极管 一、稳压管的伏安特性 (a)符号 (b)2CW17 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳压电压。 DZ (1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)温度系数——?VZ 二、稳压管的主要参数 稳压电路 正常稳压时 UO =UZ # 不加R可以吗？ # 上述电路UI为正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎样的？ （1）.设电源电压波动(负载