第3章存储技术09101.pptVIP

本章主要内容 存储器概述(技术指标、分类、基本组成、存储系统的层次结构) 半导体存储器的一般结构 存储器与CPU的接口 存储器扩展技术 3.1存储器概述 1.存储器的技术指标 1)存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 1M × 1bit=128k ×8bit=256k ×4 2)存取速度: 访问时间（存取时间）TA:双极型RAM 10~20ns ,RAM几十， ROM几百ns。 存取周期TM、数据传送速率BM. 半导体存储器分类 随机存取存储器 （RAM） 只读存储器（ROM） (MOS型) FLASH存储器（闪存）： 电擦除、非易失 (MOS型) 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小(256~512M)，。 通常由半导体存储器构成. 存系统引导程序、监控程序、ROMBIOS。 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 由磁、光存储器、半导体存储器构成。 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘。 3.1.2 半导体存储器的一般结构 3.1.4动态随机存储器DRAM DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（动态刷新）。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右）。DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器。 SDRAM（Synchronous DRAM）——它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，即与CPU的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大可达150MHz，存取时间约为5～10ns，最大数据率为150MB/s，是当前微机中流行的标准内存类型。 DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）——是对SDRAM的改进，它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据，其数据率可达200-800 MB/s。主要应用在主板和高速显示卡上。 RDRAM（Rambus DRAM）——是由Rambus公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达1.6GB/s。 3.2 存储器与CPU的接口 1. 存储器和CPU的连接考虑 ① 高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。 ② CPU总线的负载能力问题。 ③ 片选信号和行地址、列地址的产生机制。 2.存储器芯片片选信号的构成方法 ： 全译码法 ? 适用于组合容量较大的存储器 ? 结构复杂 部分译码法 线译码法 ? 适用于容量较小的存储器 ? 结构简单 译码电路 将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号，即： 将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。 (1)全地址译码 用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。 全地址译码例 6264芯片的地址范围：F0000H~F1FFFH 111100000……00 ~ 111100011……11 (2)部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。 部分地址译码例 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码 3.应用举例 设计：将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。 选择使用74LS138译码器构成译码电路 3.2.2存储器扩展技术 1.位扩展 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 2.字扩展 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 3.字位扩展 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M× N ） / （L × K） 74LS138逻辑图：