模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第3章单级放大器(二)精选.ppt

32 共栅级－低Rin特性的应用 根据传输线理论： 对于50Ω传输线，接收端匹配50Ω电阻时，反射回来 的能量最小，功率传输效率最高 a结构电压增益为gm1×50Ω; b结构为gm1×RD Rin = 1 /[ g m (1 + η )], g m = 2μnCOX (W / L) I D 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 ≈ + 33 共栅级－考虑rO后的Rin 求VX/IX得Rin Rin = RD + rO RD 1 1 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mb 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 ≈ + 34 共栅级－考虑rO后的Rin 只有当RD较小时， Rin才会较小 当RD很大时，Rin 会很大 RD无穷大时，Rin 无穷大 Rin = RD + rO RD 1 1 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mb 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 35 共栅级－小信号特性－Rout 计算结果 同带源极 负反馈的 共源级的 Rout Rout = {[1 + (gm + gmb )ro ]RS + ro } || RD 输出电阻很大 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 36 共栅级－主要应用 输入信号为电流信号的情形 与共源级结合构成共源共栅级 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 37 本讲 共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 38 共源共栅级－简介 共源级 共栅级 有重要应用 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 2 39 共源共栅级－偏置要求 要求M1和M2都饱和区 V b ≥ V ov 1 + V GS 输入器件 共源共栅器件 V out ≥ V ov 1 + V ov 2 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 40 共源共栅级－大信号特性 Vin大于VTH1后继续增大，则：ID增大，VGS2增 大，VX减小，到一定值时M1或M2进入线性 区，增益（Vout曲线斜率）减小 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 * 模拟集成电路原理 第3章 单级放大器 董刚 gdong@mail.xidian.edu.cn 微电子学院 1 2 上一讲 放大器基础知识 电阻做负载的共源级 增益有非线性，电阻精度差或面积大 A v = g m R D 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 3 上一讲 二极管接法的MOS 管做负载的共源级 线性度好，输出摆幅小，增益不能太大（否 则摆幅小、带宽小） Av = ? (W / L)1 1 (W / L)2 1 + η A v = ? μ n (W / L ) 1 μ p (W / L ) 2 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 4 上一讲 电流源做负载的共源级 增益大 Av = ?gm ro1 || ro2 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 ? W ? 5 上一讲 深线性区MOS管做负载的共源级 输出摆幅大（可以为VDD） 得到精准的Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难 RON 2 = μnC ox ? ? ? L ? 2 1 (VDD ? Vb ? | VTHP |) Av = ?gm RON2 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 6 上一讲 带源极负反馈的共源级 Rs使Gm和增益变为gm的弱函数，提高线性 度 输出电阻大 ROUT = [1 + (gm + gmb )ro ]RS + ro 牺牲了增益 A v = ? G m R D = ? g m R D 1 + g m R S 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 VX 1 ∴Rout = = 7 如何求“从M1源端看进去的电阻”？ QV1 = ?VX , IX ? gmVX ?